ボリュームディスカウント対象商品
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 3000 - 12000 | ¥8.357 | ¥25,071 |
| 15000 - 27000 | ¥8.113 | ¥24,339 |
| 30000 - 72000 | ¥7.684 | ¥23,052 |
| 75000 - 147000 | ¥7.464 | ¥22,392 |
| 150000 + | ¥7.244 | ¥21,732 |
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- RS品番:
- 186-7179
- メーカー型番:
- MSB92ASWT1G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| プロダクトタイプ | 抵抗内蔵トランジスタ | |
| 最大コレクタエミッタ電圧 Vceo | -300V | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| トランジスタ構成 | シングル | |
| 最大コレクタベース電圧 VCBO | -300V | |
| 最大エミッタベース電圧 VEBO | 5V dc | |
| 最大許容損失Pd | 150mW | |
| トランジスタ極性 | PNP | |
| 最小DC電流ゲイン(hFE) | 120 | |
| ピン数 | 3 | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 高さ | 1.1mm | |
| 長さ | 2.2mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
プロダクトタイプ 抵抗内蔵トランジスタ | ||
最大コレクタエミッタ電圧 Vceo -300V | ||
取付タイプ 表面 | ||
トランジスタ構成 シングル | ||
最大コレクタベース電圧 VCBO -300V | ||
最大エミッタベース電圧 VEBO 5V dc | ||
最大許容損失Pd 150mW | ||
トランジスタ極性 PNP | ||
最小DC電流ゲイン(hFE) 120 | ||
ピン数 3 | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 No | ||
高さ 1.1mm | ||
長さ 2.2mm | ||
自動車規格 なし | ||
この高電圧PNPバイポーラトランジスタは、汎用アンプ用途向けに設計されています。このデバイスは、低電力表面実装用途向けに設計されたSC-70 / SOT-323パッケージに収容されています。
鉛フリーパッケージを用意
