onsemi 抵抗内蔵トランジスタ TO-220 NPN, 3-Pin, スルーホール, 115 V

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RS品番:
186-7353
メーカー型番:
BD241CG
メーカー/ブランド名:
onsemi
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ブランド

onsemi

プロダクトタイプ

抵抗内蔵トランジスタ

パッケージ型式

TO-220

最大コレクタエミッタ電圧 Vceo

115V

取付タイプ

スルーホール

トランジスタ構成

シングル

最大許容損失Pd

40W

最大エミッタベース電圧 VEBO

5V

最小DC電流ゲイン（hFE）

2.5

トランジスタ極性

NPN

ピン数

3

動作温度 Max

150°C

高さ

9.28mm

長さ

10.53mm

幅

4.83 mm

シリーズ

BD241C

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN
汎用アンプ及びスイッチング用途向けに設計された 3 A 、 100 V PNP バイポーラパワートランジスタです。BD241C （ NPN ）、 BD242B （ PNP ）、 BD242C （ PNP ）はコンプリメンタリデバイスです。

3 A、100 V PNPバイポーラパワートランジスタは、汎用アンプ及びスイッチング用途向けに設計されています。BD241C (NPN)、BD242B (PNP)、BD242C (PNP)は補完的なデバイスです。

コレクタ - エミッタ飽和電圧 - VCE = 1.2 V dc （最大） @ IC = 3.0 ADC

コレクタ - エミッタ持続電圧 - VCEO （ sus ） = 80 V dc （最小） BD242B = 100 V dc （最小） BD241C 、 BD242C

高電流ゲイン帯域幅製品 fT = 3.0 MHz （最小） @ IC = 500 mAdc

コンパクトな TO-220 AB パッケージ

鉛フリーパッケージを用意

コレクタエミッタ飽和電圧 - VCE = 1.2 V dc (最大) @ IC = 3.0 Adc

コレクタエミッタ維持電圧 - VCEO(サス) = 80 V dc (最小) BD242B = 100 V dc (最小) BD241C、BD242C

高電流ゲイン - 帯域幅ProductfT = 3.0 MHz (最小) @ IC = 500 mAdc

コンパクトTO-220 ABパッケージ

鉛フリーパッケージを用意

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

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