onsemi 抵抗内蔵トランジスタ TO-220 NPN, 3-Pin, スルーホール, 80 V

Name: onsemi 抵抗内蔵トランジスタ TO-220 NPN, 3-Pin, スルーホール, 80 V
Brand: onsemi
SKU: 186-7368
Price: 130.35 JPY
Availability: InStock

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8 A 、 100 V 、 65 W PNP ダーリントンバイポーラパワートランジスタは、汎用 / 低速度スイッチング用途向けに設計されています。BDX53B 、 BDX53C 、 BDX54B 、 BDX54C は、補完的なデバイスです。

8 A、100 V、65 W PNPダーリントンバイポーラパワートランジスタは、汎用及び低速スイッチング用途向けに設計されています。BDX53B、BDX53C、BDX54B、BDX54Cは補完的なデバイスです。

高 DC 電流ゲイン hFE = 2500 （標準） @ IC = 4.0 ADC

コレクタエミッタ維持電圧 @ 100 mAdc VCEO （ us ） = 80 V dc （最小） BDX53B 、 54B VCEO （ us ） = 100 V dc （最小） - BDX53C 、 54C

低コレクタ - エミッタ飽和電圧 VCE （飽和） = 2.0 V dc （最大） @ IC = 3.0 ADC （飽和） = 4.0 V dc （最大） @ IC = 5.0 ADC

ベースエミッタシャント抵抗器を内蔵したモノリシック構造

TO-220AB コンパクトパッケージ

鉛フリーパッケージを用意

高DC電流ゲインhFE = 2500 (標準) @ IC = 4.0 Adc

コレクタエミッタ維持電圧 @ 100 mAdc VCEO(sus) = 80 Vdc (Min) BDX53B、54B VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) - BDX53C、54C

低コレクタエミッタ飽和電圧VCE(sat) = 2.0 V dc (最大) @ IC = 3.0 Adc VCE(sat) = 4.0 V dc (最大) @ IC = 5.0 Adc

ベースエミッタシャント抵抗器を内蔵したモノリシック構造

TO-220ABコンパクトパッケージ

鉛フリーパッケージを用意

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