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製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	onsemi
	トランジスタタイプ	PNP
	最大コレクタ- エミッタ間電圧	-40 V
	パッケージタイプ	SOT-223 (SC-73)
	実装タイプ	表面実装
	最大パワー消費	2 W
	トランジスタ構成	シングル
	最大エミッタ-ベース間電圧	6 V dc
	ピン数	3 + Tab
	1チップ当たりのエレメント数	1
	動作温度 Max	+150 °C
	寸法	6.7 x 3.7 x 1.65mm

	すべて選択
	ブランド onsemi
	トランジスタタイプ PNP
	最大コレクタ- エミッタ間電圧 -40 V
	パッケージタイプ SOT-223 (SC-73)
	実装タイプ表面実装
	最大パワー消費 2 W
	トランジスタ構成シングル
	最大エミッタ-ベース間電圧 6 V dc
	ピン数 3 + Tab
	1チップ当たりのエレメント数 1
	動作温度 Max +150 °C
	寸法 6.7 x 3.7 x 1.65mm

Datasheet NJV4030PT1G

COO（原産国）:: MY

低飽和電圧と高ゲインの組み合わせにより、このバイポーラ電源トランジスタは、省電力が重要な高速スイッチング用途に最適なデバイスとなっています。

低コレクタ-エミッタ飽和電圧
高 DC 電流ゲイン
高電流ゲイン帯域幅製品
品番の先頭が「 NJV 」の製品は、固有のサイトや制御変更要件及び PPAP 対応を必要とする車載用途やその他の用途に最適
鉛フリー、ハロゲンフリー / BFRフリー
利点
電力損失を最小化
超低電流要件
高周波設計に最適です
最終製品
バッテリ充電器
携帯機器
コンピューティング製品
用途
電圧調整
ポータブルデバイスの電源管理
スイッチングレギュレータ
誘導負荷ドライバ

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

onsemi PNP 抵抗内蔵トランジスタ, SOT-223 (SC-73), 表面実装

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