onsemi トランジスタ, BC858CLT1G, 3-Pin, -200 mA PNP, SOT-23, 表面, -30 V

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梱包形態
RS品番:
186-8591
メーカー型番:
BC858CLT1G
メーカー/ブランド名:
onsemi
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ブランド

onsemi

プロダクトタイプ

トランジスタ

最大DCコレクタ電流(Idc)

-200mA

最大コレクタエミッタ電圧 Vceo

-30V

パッケージ型式

SOT-23

取付タイプ

表面

トランジスタ構成

シングル

最大コレクタベース電圧 VCBO

-30V

最大トランジション周波数フィート

100MHz

最大許容損失Pd

300mW

トランジスタ極性

PNP

最小DC電流ゲイン(hFE)

125

最大エミッタベース電圧 VEBO

-30V

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

ピン数

3

長さ

3.04mm

高さ

1.1mm

シリーズ

BC856ALT1G

規格 / 承認

No

自動車規格

AEC-Q101

PNPバイポーラトランジスタは、リニア及びスイッチング用途向けに設計されています。このデバイスは、低電力表面実装用途向けに設計されたSOT-23パッケージに収容されています。

鉛フリーパッケージを用意

独自のサイト及び制御変更要件を必要とする自動車及びその他の用途向けのS及びNSVプレフィックス、PPAP対応

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