onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, MSD42WT1G NPN, 3-Pin, 表面 150 mA, 300 V

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梱包形態
RS品番:
186-8945
メーカー型番:
MSD42WT1G
メーカー/ブランド名:
onsemi
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ブランド

onsemi

プロダクトタイプ

抵抗内蔵トランジスタ

最大コレクタエミッタ電圧 Vceo

300V

取付タイプ

表面

トランジスタ構成

シングル

最大コレクタベース電圧 VCBO

300V

最大コレクタ・エミッタ飽和電圧 VceSAT

0.5V

最小DC電流ゲイン(hFE)

40

トランジスタ極性

NPN

最大連続コレクタ電流 Ic

150mA

最大許容損失Pd

450mW

最大エミッタベース電圧 VEBO

6V dc

ピン数

3

動作温度 Max

150°C

長さ

2.4mm

1.35 mm

規格 / 承認

Pb-Free, RoHS

高さ

1mm

自動車規格

AEC-Q101

この高電圧 NPN バイポーラトランジスタは、汎用アンプ用途向けに設計されています。このデバイスは、低消費電力の表面実装用途向けに設計された SC-70 / SOT-323 パッケージに収容されています。

この高電圧NPNバイポーラトランジスタは、汎用アンプ用途向けに設計されています。このデバイスは、低電力表面実装用途向けに設計されたSC-70 / SOT-323パッケージに収容されています。

8 mm 、 7 インチ / 3000 ユニットテープ及びリールが用意されています

品番の先頭が「 S 」 / 「 NSV 」の製品は、固有のサイトや制御変更の要件及び PPAP 対応を必要とする車載用途やその他の用途に最適です

8 mm、7インチ / 3000ユニットテープ及びリールを用意

独自のサイト及び制御変更要件を必要とする自動車及びその他の用途向けのS及びNSVプレフィックス、PPAP対応

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

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