onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, MMBTA06WT1G NPN, 3-Pin, 表面, 80 V dc

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梱包形態
RS品番:
186-8565
メーカー型番:
MMBTA06WT1G
メーカー/ブランド名:
onsemi
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ブランド

onsemi

プロダクトタイプ

抵抗内蔵トランジスタ

最大コレクタエミッタ電圧 Vceo

80V dc

取付タイプ

表面

トランジスタ構成

シングル

最大コレクタベース電圧 VCBO

80V dc

最大許容損失Pd

460mW

トランジスタ極性

NPN

最小DC電流ゲイン(hFE)

100

最大エミッタベース電圧 VEBO

4V dc

動作温度 Max

150°C

ピン数

3

高さ

1mm

長さ

2.2mm

規格 / 承認

No

シリーズ

MMBTA06W

2.4 mm

自動車規格

AEC-Q101

NPN バイポーラトランジスタは、汎用アンプ用途向けに設計されています。低消費電力の表面実装用途向けに設計された SOT-323/SC-70 パッケージに収められています。

NPNバイポーラトランジスタは、汎用アンプ用途向けに設計されています。低電力表面実装用途向けに設計されたSOT-323/SC-70パッケージに収容されています。

耐湿性レベル: 1.

ESD 定格:人体モデル - 4 kV 機械モデル - 400 V

鉛フリーパッケージが提供される場合があります。G サフィックスは鉛フリーリード仕上げを示します

品番の先頭が「 S 」 / 「 NSV 」の製品は、固有のサイトや制御変更の要件及び PPAP 対応を必要とする車載用途やその他の用途に最適です

湿気感度レベル: 1

ESD定格: 人体モデル - 4 kVマシンモデル - 400 V

鉛フリーパッケージが用意されています。Gサフィックスは鉛フリー鉛仕上げを示します。

独自のサイト及び制御変更要件を必要とする自動車及びその他の用途向けのS及びNSVプレフィックス、PPAP対応

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

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