onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NSBC114EDXV6T1G SOT-563 NPN, 6-Pin, 表面 100 mA, 50 V
- RS品番:
- 186-8954
- メーカー型番:
- NSBC114EDXV6T1G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
ボリュームディスカウント対象商品
1 袋(1袋25個入り) 小計：*
￥888.00
(税抜)
￥976.75
(税込)
3,000円を超える注文については、送料無料
在庫限り
- 10,525 は海外在庫あり（最終在庫）
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 25 - 175 | ￥35.52 | ￥888 |
| 200 - 1850 | ￥30.68 | ￥767 |
| 1875 - 2475 | ￥25.96 | ￥649 |
| 2500 - 2975 | ￥22.12 | ￥553 |
| 3000 + | ￥17.28 | ￥432 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 186-8954
- メーカー型番:
- NSBC114EDXV6T1G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| プロダクトタイプ | 抵抗内蔵トランジスタ | |
| パッケージ型式 | SOT-563 | |
| 最大コレクタエミッタ電圧 Vceo | 50V | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| トランジスタ構成 | デュアル | |
| 最大コレクタベース電圧 VCBO | 50V | |
| 最小DC電流ゲイン（hFE） | 35 | |
| トランジスタ極性 | NPN | |
| 最大コレクタ・エミッタ飽和電圧 VceSAT | 0.25V | |
| 最大エミッタベース電圧 VEBO | 10V | |
| 最大連続コレクタ電流 Ic | 100mA | |
| 最大許容損失Pd | 500mW | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| ピン数 | 6 | |
| 規格 / 承認 | RoHS, Pb-Free | |
| 長さ | 2.2mm | |
| 高さ | 1.1mm | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
プロダクトタイプ 抵抗内蔵トランジスタ | ||
パッケージ型式 SOT-563 | ||
最大コレクタエミッタ電圧 Vceo 50V | ||
取付タイプ 表面 | ||
トランジスタ構成 デュアル | ||
最大コレクタベース電圧 VCBO 50V | ||
最小DC電流ゲイン（hFE） 35 | ||
トランジスタ極性 NPN | ||
最大コレクタ・エミッタ飽和電圧 VceSAT 0.25V | ||
最大エミッタベース電圧 VEBO 10V | ||
最大連続コレクタ電流 Ic 100mA | ||
最大許容損失Pd 500mW | ||
動作温度 Max 150°C | ||
ピン数 6 | ||
規格 / 承認 RoHS, Pb-Free | ||
長さ 2.2mm | ||
高さ 1.1mm | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
このシリーズのデジタルトランジスタは、シングルデバイスとその外部抵抗器バイアスネットワークの交換用に設計されています。バイアス抵抗器トランジスタ(BRT)には、2つの抵抗器、シリーズベース抵抗器、ベースエミッタ抵抗器で構成されたモノリシックバイアスネットワークを備えたシングルトランジスタが含まれています。BRTは、これらの個々のコンポーネントを1つのデバイスに統合することで排除します。BRTを使用することで、システムコストと基板スペースの両方を削減できます。
回路設計を簡素化
基板スペースを削減
コンポーネントカウントを削減
独自のサイト及び制御変更要件を必要とする自動車及びその他の用途向けのS及びNSVプレフィックス、PPAP対応
これらのデバイスは鉛フリー、ハロゲンフリー / BFRフリー