Infineon NPN RF バイポーラトランジスタ, 4-Pin, 40 mA NPN, TSLP, 表面, 4 V

バイポーラトランジスタ の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール15000個入り) 小計：*

￥863,565.00

(税抜)

￥949,920.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2027年2月09日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。

個
単価
購入単位毎合計*
15000 - 15000￥57.571￥863,565
30000 - 135000￥56.725￥850,875
150000 - 210000￥55.878￥838,170
225000 - 285000￥55.031￥825,465
300000 +￥54.185￥812,775

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
219-5958
メーカー型番:
BFR740L3RHE6327XTSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

NPN RF バイポーラトランジスタ

最大DCコレクタ電流（Idc）

40mA

最大コレクタエミッタ電圧 Vceo

4V

パッケージ型式

TSLP

取付タイプ

表面

最大コレクタベース電圧 VCBO

13V

最大トランジション周波数フィート

42GHz

最小DC電流ゲイン（hFE）

160

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

160mW

最大エミッタベース電圧 VEBO

1.2V

トランジスタ極性

NPN

ピン数

4

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

JEDEC47/20/22

シリーズ

BFR740L3RH

自動車規格

なし

Infineon BFP740L3RH は、シリコンゲルマニウムカーボン（ SiGe ： C ） NPN ヘテロ接合広帯域バイポーラ RF トランジスタ（ HBT ）です。

低ノイズ数値NFmin = 0.5 dB @ 1.9 GHz、0.8 dB @ 5.5 GHz、3 V、6 mA

高電力ゲインGms = 20 dB @ 5.5 GHz、3 V、15 mA

ロープロファイルおよび小型フォームファクタのリードレスパッケージ

関連ページ