DiodesZetex 低VCE(sat) トランジスタ, PNP, 表面実装, 1 A, BCP5616TTC

DiodesZetexのNPN低飽和中電力トランジスタです。SOT223パッケージで提供されたこのデバイスは、80 V以上のBVCEOと-500 mV未満の低飽和電圧を実現し、-55℃ → 150 °Cを超える温度向けに設計されています。このデバイスの消費電力は2 Wです。パッケージは鉛、ハロゲン、アンチモンを使用していません。中電力スイッチングや増幅、AFドライバ、出力段などの用途に適しています。

コレクタエミッタ間電圧は80 Vです。デバイスの難燃性分類等級は94 V-0です。デバイスの湿度感度はJ-STD-020に準拠したレベル3です。端子仕上げは銅の上にマットスズめっきが施されています。