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バイポーラトランジスタ
onsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 8 A, FJB3307DTM
RS品番:
772-9244
メーカー型番:
FJB3307DTM
メーカー/ブランド名:
onsemi
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RS品番:
772-9244
メーカー型番:
FJB3307DTM
メーカー/ブランド名:
onsemi
データシート
その他
詳細情報
仕様
FJB3307D, High Voltage Fast Switching NPN Power Transistor
ESD Control Selection Guide V1
RoHSステータス: 適合
COO(原産国):
CN
Fairchild Semiconductor 高電圧 NPN トランジスタ
バイポーラトランジスタ、Fairchild Semiconductor
バイポーラ接合トランジスタ(BJT)の幅広い製品には、多様な回路用途のニーズに適合する完全なソリューションが用意されています。 この画期的なパッケージは、最小サイズ、最高の信頼性、最大の熱特性を実現するように設計されています。
特性
トランジスタタイプ
NPN
最大DCコレクタ電流
8 A
最大コレクタ- エミッタ間電圧
400 V
パッケージタイプ
D2PAK (TO-263)
実装タイプ
表面実装
最大パワー消費
80 W
トランジスタ構成
シングル
最大コレクタ-ベース間電圧
700 V
最大エミッタ-ベース間電圧
9 V
最大動作周波数
1 MHz
ピン数
3
1チップ当たりのエレメント数
1
動作温度 Max
+150 °C
寸法
10.67 x 9.65 x 4.83mm
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