onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, DTC114TET1G NPN, 3-Pin, 表面, 50 V
- RS品番:
- 801-0070
- メーカー型番:
- DTC114TET1G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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- RS品番:
- 801-0070
- メーカー型番:
- DTC114TET1G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| プロダクトタイプ | 抵抗内蔵トランジスタ | |
| 最大コレクタエミッタ電圧 Vceo | 50V | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| トランジスタ構成 | シングル | |
| 最大コレクタベース電圧 VCBO | 50V | |
| 最大許容損失Pd | 300mW | |
| 最小DC電流ゲイン（hFE） | 160 | |
| トランジスタ極性 | NPN | |
| 最大エミッタベース電圧 VEBO | 6V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| ピン数 | 3 | |
| シリーズ | DTC114TE | |
| 長さ | 3.1mm | |
| 幅 | 1.7 mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 高さ | 1.3mm | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
プロダクトタイプ 抵抗内蔵トランジスタ | ||
最大コレクタエミッタ電圧 Vceo 50V | ||
取付タイプ 表面 | ||
トランジスタ構成 シングル | ||
最大コレクタベース電圧 VCBO 50V | ||
最大許容損失Pd 300mW | ||
最小DC電流ゲイン（hFE） 160 | ||
トランジスタ極性 NPN | ||
最大エミッタベース電圧 VEBO 6V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
ピン数 3 | ||
シリーズ DTC114TE | ||
長さ 3.1mm | ||
幅 1.7 mm | ||
規格 / 承認 No | ||
高さ 1.3mm | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
シングル抵抗器デジタルトランジスタ、ON Semiconductor
デジタルトランジスタ、ON Semiconductor
抵抗器を装備したバイポーラトランジスタは、「デジタルトランジスタ」又は「バイアス抵抗器トランジスタ」とも呼ばれ、1つ又は2つの内蔵抵抗器を搭載しています。シングルシリーズ入力抵抗器又は2つの抵抗器のポテンションディバイダにより、これらのデバイスをデジタルソースから直接駆動できます。シングルトランジスタタイプとデュアルトランジスタタイプの両方を用意しています。
Standards
先頭にS又はNSVの付いたメーカー型番は、AEC-Q101規格に準拠した自動車用製品です。