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バイポーラトランジスタ
Infineon トランジスタ, PNP, 表面実装, 100 mA, BC858BWH6327XTSA1
RS品番:
857-8211
メーカー型番:
BC858BWH6327XTSA1
メーカー/ブランド名:
Infineon
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30000 - 72000
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75000 +
¥3.526
¥10,578.00
* 購入単位ごとの価格
RS品番:
857-8211
メーカー型番:
BC858BWH6327XTSA1
メーカー/ブランド名:
Infineon
データシート
その他
詳細情報
仕様
BC857...BC860 series PNP Transistors
ESD Control Selection Guide V1
RoHSステータス: 適合
小信号PNPトランジスタ、Infineon
バイポーラトランジスタ、Infineon
特性
トランジスタタイプ
PNP
最大DCコレクタ電流
100 mA
最大コレクタ- エミッタ間電圧
30 V
パッケージタイプ
SOT-323 (SC-70)
実装タイプ
表面実装
最大パワー消費
330 mW
トランジスタ構成
シングル
最大コレクタ-ベース間電圧
-30 V
最大エミッタ-ベース間電圧
-5 V
最大動作周波数
250 MHz
ピン数
3
1チップ当たりのエレメント数
1
動作温度 Max
+150 °C
寸法
2 x 1.25 x 0.8mm
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