マイクロチップ, フラッシュメモリ, 2MB, パラレル, 32-Pin, SST39SF020A-70-4C-PHE
- RS品番:
- 165-2021
- メーカー型番:
- SST39SF020A-70-4C-PHE
- メーカー/ブランド名:
- Microchip
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|---|---|---|
| 11 - 44 | ¥468.273 | ¥5,151 |
| 55 - 99 | ¥464.00 | ¥5,104 |
| 110 - 264 | ¥453.818 | ¥4,992 |
| 275 - 539 | ¥445.182 | ¥4,897 |
| 550 + | ¥436.727 | ¥4,804 |
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- RS品番:
- 165-2021
- メーカー型番:
- SST39SF020A-70-4C-PHE
- メーカー/ブランド名:
- Microchip
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Microchip | |
| メモリサイズ | 2MB | |
| インターフェースタイプ | パラレル | |
| パッケージタイプ | PDIP | |
| ピン数 | 32 | |
| 構成 | 256 K x 8ビット | |
| 実装タイプ | スルーホール | |
| セルタイプ | スプリットゲート | |
| 動作供給電圧 Min | 4.5 V | |
| 動作供給電圧 Max | 5.5 V | |
| ブロック構成 | 対称 | |
| 長さ | 42.04mm | |
| 高さ | 3.81mm | |
| 幅 | 13.97mm | |
| 寸法 | 42.04 x 13.97 x 3.81mm | |
| シリーズ | SST39 | |
| 動作温度 Max | +70 °C | |
| 動作温度 Min | 0 °C | |
| 最大ランダムアクセス時間 | 70ns | |
| ワード数 | 256K | |
| 1ワード当たりのビット数 | 8bit | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Microchip | ||
メモリサイズ 2MB | ||
インターフェースタイプ パラレル | ||
パッケージタイプ PDIP | ||
ピン数 32 | ||
構成 256 K x 8ビット | ||
実装タイプ スルーホール | ||
セルタイプ スプリットゲート | ||
動作供給電圧 Min 4.5 V | ||
動作供給電圧 Max 5.5 V | ||
ブロック構成 対称 | ||
長さ 42.04mm | ||
高さ 3.81mm | ||
幅 13.97mm | ||
寸法 42.04 x 13.97 x 3.81mm | ||
シリーズ SST39 | ||
動作温度 Max +70 °C | ||
動作温度 Min 0 °C | ||
最大ランダムアクセス時間 70ns | ||
ワード数 256K | ||
1ワード当たりのビット数 8bit | ||
- COO(原産国):
- TH
SST39SF010A/020A/040パラレルSuperFlash®メモリ
Microchip製のSST39SF010A/020A/040ファミリのデバイスは、パラレルの多目的SuperFlash®メモリICです。
特長
4.5-5.5 V読み取り及び書き込み操作
耐久性 – 100,000回(標準)
低消費電力 - アクティブ電流10 mA、スタンバイ電流30 μA (14 MHzでの標準値)
セクタ消去機能: 均一な4 KBセクタ
読み取りアクセス時間: 55 → 70 ns
セクタ消去時間: 18 ms
チップ消去時間: 70 ms(標準)
バイトプログラム時間 – 14 μs(標準)
チップ書換え時間 – SST39SF010A 2秒、SST39SF020A 4秒、SST39SF040 8秒(標準値)
ラッチ付きアドレス及びデータ
自動書き込み時間 – 内部VPP生成
End-of-Write検出 – トグルビット – データ#ポーリング
TTL I/O互換品
JEDEC規格 – フラッシュEEPROMピン配列及びコマンドセット
耐久性 – 100,000回(標準)
低消費電力 - アクティブ電流10 mA、スタンバイ電流30 μA (14 MHzでの標準値)
セクタ消去機能: 均一な4 KBセクタ
読み取りアクセス時間: 55 → 70 ns
セクタ消去時間: 18 ms
チップ消去時間: 70 ms(標準)
バイトプログラム時間 – 14 μs(標準)
チップ書換え時間 – SST39SF010A 2秒、SST39SF020A 4秒、SST39SF040 8秒(標準値)
ラッチ付きアドレス及びデータ
自動書き込み時間 – 内部VPP生成
End-of-Write検出 – トグルビット – データ#ポーリング
TTL I/O互換品
JEDEC規格 – フラッシュEEPROMピン配列及びコマンドセット
フラッシュメモリ、Microchip
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