マイクロチップ, フラッシュメモリ, 4Mbit, パラレル, 32-Pin, SST39SF040-70-4C-PHE
- RS品番:
- 352-119
- メーカー型番:
- SST39SF040-70-4C-PHE
- メーカー/ブランド名:
- Microchip
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- RS品番:
- 352-119
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- SST39SF040-70-4C-PHE
- メーカー/ブランド名:
- Microchip
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Microchip | |
| メモリサイズ | 4Mbit | |
| インターフェースタイプ | パラレル | |
| パッケージタイプ | PDIP | |
| ピン数 | 32 | |
| 構成 | 4M x 8 | |
| セルタイプ | スプリットゲート | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Microchip | ||
メモリサイズ 4Mbit | ||
インターフェースタイプ パラレル | ||
パッケージタイプ PDIP | ||
ピン数 32 | ||
構成 4M x 8 | ||
セルタイプ スプリットゲート | ||
SST独自の高性能CMOSスーパーフラッシュ技術で製造されたマイクロチップCMOS多目的フラッシュ(MPF)です。スプリット・ゲート・セル設計と厚い酸化膜トンネル注入器は、他のアプローチと比較して、より優れた信頼性と製造性を達成している。SST39SF040は、4.5~5.5V電源で書き込み(プログラムまたは消去)を行い、x8メモリ用のJEDEC標準ピン配列に準拠しています。
100,000サイクル耐久(代表値)の優れた信頼性
100年以上のデータ保持
14MHzでの低消費電力
アクティブ電流 10 mA 標準
スタンバイ電流 30μA(標準
均一4Kバイトセクタによるセクタ消去機能
高速読み出しアクセス時間 55 ns および 70 ns
ラッチされたアドレスとデータ
内部VPP生成による自動書き込みタイミング
100年以上のデータ保持
14MHzでの低消費電力
アクティブ電流 10 mA 標準
スタンバイ電流 30μA(標準
均一4Kバイトセクタによるセクタ消去機能
高速読み出しアクセス時間 55 ns および 70 ns
ラッチされたアドレスとデータ
内部VPP生成による自動書き込みタイミング
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