マイクロチップ, フラッシュメモリ スプリットゲート, 16 MB, SPI, 8-Pin SOIC
- RS品番:
- 165-4167
- メーカー型番:
- SST26VF016B-104V/SN
- メーカー/ブランド名:
- Microchip
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- RS品番:
- 165-4167
- メーカー型番:
- SST26VF016B-104V/SN
- メーカー/ブランド名:
- Microchip
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Microchip | |
| メモリサイズ | 16MB | |
| プロダクトタイプ | フラッシュメモリ | |
| インタフェースタイプ | SPI | |
| パッケージ型式 | SOIC | |
| ピン数 | 8 | |
| 構成 | 2M x 8 Bit | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| 最大クロック周波数 | 104MHz | |
| セルタイプ | スプリットゲート | |
| 最大電源電圧 | 3.6V | |
| 最小電源電圧 | 2.7V | |
| 動作温度 Min | -40°C | |
| 動作温度 Max | 105°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 幅 | 4 mm | |
| 長さ | 4.9mm | |
| 高さ | 1.25mm | |
| 1ワード当たりのビット数 | 8 | |
| 供給電流 | 25mA | |
| 最大ランダムアクセス時間 | 8ns | |
| ワード数 | 2M | |
| シリーズ | SST26VF016B | |
| 自動車規格 | AEC-Q100 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Microchip | ||
メモリサイズ 16MB | ||
プロダクトタイプ フラッシュメモリ | ||
インタフェースタイプ SPI | ||
パッケージ型式 SOIC | ||
ピン数 8 | ||
構成 2M x 8 Bit | ||
取付タイプ 表面 | ||
最大クロック周波数 104MHz | ||
セルタイプ スプリットゲート | ||
最大電源電圧 3.6V | ||
最小電源電圧 2.7V | ||
動作温度 Min -40°C | ||
動作温度 Max 105°C | ||
規格 / 承認 No | ||
幅 4 mm | ||
長さ 4.9mm | ||
高さ 1.25mm | ||
1ワード当たりのビット数 8 | ||
供給電流 25mA | ||
最大ランダムアクセス時間 8ns | ||
ワード数 2M | ||
シリーズ SST26VF016B | ||
自動車規格 AEC-Q100 | ||
- COO（原産国）:
- TH
SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlash®メモリ
Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは、シリアルクワッドI/O™ (SQI™)インターフェイスSuperFlash®メモリICで、6線式、4ビットI/Oインターフェイスを備えており、ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力、高性能動作を実現します。 Microchip製のSQI™インターフェイスを使用すれば、最高で104 MHzの性能を発揮し、最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。 これらのフラッシュメモリチップは、従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。
これらのデバイスは、SuperFlash®技術を使用することで、他のフラッシュメモリ代替品に比べると、非常に優れた消去時間を発揮します。 通常、セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し、完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。
特長
シリアルインターフェイスアーキテクチャ – ニブル単位の多重化I/O、SPIに類似したシリアルコマンド構造
x1 / x2 / x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル
高速クロック周波数 - 最大104 MHz
バーストモード
低消費電力 – アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)、スタンバイ15 μA(代表値)
高速消去時間 - セクタ / ブロック消去: 18 ms(代表値)、チップ消去35 ms(代表値)
柔軟性の高い消去機能
ソフトウェア書き込み保護