Infineon フラッシュメモリ NOR, 512 MB, CFI, パラレル, 56-Pin, S29GL512S11TFI020 TSOP
- RS品番:
- 171-1490
- メーカー型番:
- S29GL512S11TFI020
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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|---|---|---|
| 91 - 364 | ¥1,305.209 | ¥118,774 |
| 455 - 819 | ¥1,292.132 | ¥117,584 |
| 910 - 2184 | ¥1,265.978 | ¥115,204 |
| 2275 - 4459 | ¥1,240.747 | ¥112,908 |
| 4550 + | ¥1,215.516 | ¥110,612 |
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- RS品番:
- 171-1490
- メーカー型番:
- S29GL512S11TFI020
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| メモリサイズ | 512MB | |
| プロダクトタイプ | フラッシュメモリ | |
| インタフェースタイプ | CFI, パラレル | |
| パッケージ型式 | TSOP | |
| ピン数 | 56 | |
| 構成 | 32M x 16 Bit | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| セルタイプ | NOR | |
| 最大電源電圧 | 3.6V | |
| 最小電源電圧 | 2.7V | |
| 動作温度 Min | -40°C | |
| 動作温度 Max | 85°C | |
| 長さ | 18.5mm | |
| 幅 | 14.1 mm | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 高さ | 1.05mm | |
| ワード数 | 32M | |
| 1ワード当たりのビット数 | 16 | |
| 最大ランダムアクセス時間 | 110ns | |
| シリーズ | S29GL512 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
メモリサイズ 512MB | ||
プロダクトタイプ フラッシュメモリ | ||
インタフェースタイプ CFI, パラレル | ||
パッケージ型式 TSOP | ||
ピン数 56 | ||
構成 32M x 16 Bit | ||
取付タイプ 表面 | ||
セルタイプ NOR | ||
最大電源電圧 3.6V | ||
最小電源電圧 2.7V | ||
動作温度 Min -40°C | ||
動作温度 Max 85°C | ||
長さ 18.5mm | ||
幅 14.1 mm | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
高さ 1.05mm | ||
ワード数 32M | ||
1ワード当たりのビット数 16 | ||
最大ランダムアクセス時間 110ns | ||
シリーズ S29GL512 | ||
- COO(原産国):
- US
パラレルNORフラッシュメモリ、Cypress Semiconductor
高性能
高速ランダムアクセスおよび高帯域幅
フラッシュメモリ
FLASHメモリICは、ブロックに書き込み / 消去する必要がある不揮発性RAMです。フラッシュメモリは、メモリをチャンク又はブロック単位で一括消去します。フラッシュメモリの書き込みサイクル数は限られており、変更頻度の低いプログラムストレージに使用される傾向があります。
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