インフィニオン, フラッシュメモリ, 512Mbit, CFI, パラレル, 56-Pin, S29GL512S11TFI020
- RS品番:
- 125-5907
- メーカー型番:
- S29GL512S11TFI020
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 125-5907
- メーカー型番:
- S29GL512S11TFI020
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| メモリサイズ | 512Mbit | |
| インターフェースタイプ | CFI, パラレル | |
| パッケージタイプ | TSOP | |
| ピン数 | 56 | |
| 構成 | 32 M x 16ビット | |
| 実装タイプ | 表面実装 | |
| セルタイプ | NOR | |
| 動作供給電圧 Min | 2.7 V | |
| 動作供給電圧 Max | 3.6 V | |
| 寸法 | 18.5 x 14.1 x 1.05mm | |
| ワード数 | 32M | |
| 最大ランダムアクセス時間 | 110ns | |
| 動作温度 Max | +85 °C | |
| 1ワード当たりのビット数 | 16bit | |
| 動作温度 Min | -40 °C | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
メモリサイズ 512Mbit | ||
インターフェースタイプ CFI, パラレル | ||
パッケージタイプ TSOP | ||
ピン数 56 | ||
構成 32 M x 16ビット | ||
実装タイプ 表面実装 | ||
セルタイプ NOR | ||
動作供給電圧 Min 2.7 V | ||
動作供給電圧 Max 3.6 V | ||
寸法 18.5 x 14.1 x 1.05mm | ||
ワード数 32M | ||
最大ランダムアクセス時間 110ns | ||
動作温度 Max +85 °C | ||
1ワード当たりのビット数 16bit | ||
動作温度 Min -40 °C | ||
パラレルNORフラッシュメモリ、Cypress Semiconductor
高パフォーマンス
高速ランダムアクセス及び高帯域幅
高速ランダムアクセス及び高帯域幅
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
フラッシュメモリ
フラッシュメモリICはブロック単位で書き込み / 消去が行われる不揮発性のRAMです。 書き込みサイクル数の点で寿命があるため、頻繁に変更されないプログラム記憶域用に使用される傾向があります。
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