マイクロチップ, フラッシュメモリ, 1Mbit, パラレル, 32-Pin, SST39VF010-70-4I-WHE
- RS品番:
- 177-9668
- メーカー型番:
- SST39VF010-70-4I-WHE
- メーカー/ブランド名:
- Microchip
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- RS品番:
- 177-9668
- メーカー型番:
- SST39VF010-70-4I-WHE
- メーカー/ブランド名:
- Microchip
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Microchip | |
| メモリサイズ | 1Mbit | |
| インターフェースタイプ | パラレル | |
| パッケージタイプ | TSOP | |
| ピン数 | 32 | |
| 構成 | 128 K x 8 | |
| 実装タイプ | 表面実装 | |
| セルタイプ | スプリットゲート | |
| 動作供給電圧 Min | 2.7 V | |
| 動作供給電圧 Max | 3.6 V | |
| ブロック構成 | 対称 | |
| 長さ | 8.1mm | |
| 高さ | 1.05mm | |
| 幅 | 12.5mm | |
| 寸法 | 12.5 x 8.1 x 1.05mm | |
| 最大ランダムアクセス時間 | 70ns | |
| 動作温度 Max | +85 °C | |
| ワード数 | 128K | |
| シリーズ | SST39 | |
| 1ワード当たりのビット数 | 8bit | |
| 動作温度 Min | -40 °C | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Microchip | ||
メモリサイズ 1Mbit | ||
インターフェースタイプ パラレル | ||
パッケージタイプ TSOP | ||
ピン数 32 | ||
構成 128 K x 8 | ||
実装タイプ 表面実装 | ||
セルタイプ スプリットゲート | ||
動作供給電圧 Min 2.7 V | ||
動作供給電圧 Max 3.6 V | ||
ブロック構成 対称 | ||
長さ 8.1mm | ||
高さ 1.05mm | ||
幅 12.5mm | ||
寸法 12.5 x 8.1 x 1.05mm | ||
最大ランダムアクセス時間 70ns | ||
動作温度 Max +85 °C | ||
ワード数 128K | ||
シリーズ SST39 | ||
1ワード当たりのビット数 8bit | ||
動作温度 Min -40 °C | ||
- COO(原産国):
- US
SST39VF010は、SST独自の高性能CMOS SuperFlashテクノロジーで製造された128 K x 8 CMOS多目的フラッシュ(MPF)です。代替のアプローチと比較すると、スプリットゲートのセル設計と厚膜酸化物トンネリングインジェクタにより、信頼性と製造のしやすさが高まっています。SST39VF010デバイスは、2.7-3.6 V電源で書き込み(プログラム又は消去)を行います。
単一電圧リード及びライト動作
優れた信頼性
低電力消費
セクタ消去機能
高速の読み取りアクセス時間
ラッチ付きアドレス及びデータ
高速消去とバイトプログラム
自動書き込み時間 – 内部VPP生成
End-of-Write検出 – トグルビット – データ#ポーリング
CMOS I/O対応
優れた信頼性
低電力消費
セクタ消去機能
高速の読み取りアクセス時間
ラッチ付きアドレス及びデータ
高速消去とバイトプログラム
自動書き込み時間 – 内部VPP生成
End-of-Write検出 – トグルビット – データ#ポーリング
CMOS I/O対応
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
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