インフィニオン, フラッシュメモリ, 256Mbit, SPI, 24-Pin, S25FL256LAGBHV020
- RS品番:
- 184-0071
- メーカー型番:
- S25FL256LAGBHV020
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 184-0071
- メーカー型番:
- S25FL256LAGBHV020
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| メモリサイズ | 256Mbit | |
| インターフェースタイプ | SPI | |
| パッケージタイプ | BGA | |
| ピン数 | 24 | |
| 構成 | 32 M x 8ビット | |
| 実装タイプ | 表面実装 | |
| セルタイプ | NOR | |
| 動作供給電圧 Min | 2.7 V | |
| 動作供給電圧 Max | 3.6 V | |
| ブロック構成 | 対称 | |
| 長さ | 6mm | |
| 高さ | 0.95mm | |
| 幅 | 8mm | |
| 寸法 | 8 x 6 x 0.95mm | |
| 最大ランダムアクセス時間 | 8ns | |
| 1ワード当たりのビット数 | 8bit | |
| シリーズ | S25FL | |
| ワード数 | 32M | |
| 動作温度 Max | +105 °C | |
| 動作温度 Min | -40 °C | |
| 自動車規格 | AEC-Q100 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
メモリサイズ 256Mbit | ||
インターフェースタイプ SPI | ||
パッケージタイプ BGA | ||
ピン数 24 | ||
構成 32 M x 8ビット | ||
実装タイプ 表面実装 | ||
セルタイプ NOR | ||
動作供給電圧 Min 2.7 V | ||
動作供給電圧 Max 3.6 V | ||
ブロック構成 対称 | ||
長さ 6mm | ||
高さ 0.95mm | ||
幅 8mm | ||
寸法 8 x 6 x 0.95mm | ||
最大ランダムアクセス時間 8ns | ||
1ワード当たりのビット数 8bit | ||
シリーズ S25FL | ||
ワード数 32M | ||
動作温度 Max +105 °C | ||
動作温度 Min -40 °C | ||
自動車規格 AEC-Q100 | ||
- COO(原産国):
- US
マルチ I/O 付きのシリアルペリフェラルインターフェイス( SPI )
クロック極性及び位相モード 0 及び 3
Double Data Rate ( DDR )オプション
クワッドペリフェラルインターフェイス( QPI )オプション
拡張アドレッシング: 24 ビットまたは 32 ビットのアドレスオプション
シリアルコマンドのサブセットとフットプリントは、 S25FL-A 、 S25FL1-K 、 S25FL-P 、 S25FL-S 、 S25FS-S SPI ファミリと互換性があります
S25FL-P 、 S25FL-S 、 S25FS-S SPI ファミリと互換性のあるマルチ I/O コマンドサブセット及びフットプリント
読み取り
コマンド:通常、高速、デュアル I/O 、クワッド I/O 、 DualO 、 QuadO 、 DDR Quad I/O
モード:バーストラップ、連続( XIP )、 QPI
構成情報用のシリアルフラッシュ検出可能パラメータ( SFDP )。
プログラムアーキテクチャ
256 バイトのページプログラミングバッファです
3.0 V FL-L フラッシュメモリ
プログラムの一時停止と再開
アーキテクチャを消去します
均一な 4 KB セクタ消去
均一な 32 KB ハーフブロック消去
Uniform 64 KB Block Erase (ユニフォーム 64 KB ブロック消去
チップ消去
サスペンドとレジュームを消去します
100 、 000 回以上のプログラム / 消去サイクル
20 年間のデータ保持(最小)
セキュリティ機能
ステータスおよびコンフィギュレーションレジスタ保護
4 つのセキュリティ領域(それぞれ 256 バイト)がメインの外部にあります
フラッシュアレイ
レガシーブロック保護 : ブロック範囲
個人および地域の保護
個別ブロックロック:揮発性の個別セクタ / ブロック
ポインタ領域:不揮発性セクタ / ブロック範囲
電源装置のロックダウン、パスワード、またはセキュリティリージョン 2 および 3 およびポインタリージョンの永続的な保護
テクノロジー
65 nm 浮動ゲート技術
単電源電圧、 CMOS I/O 搭載
2.7 → 3.6 V
パッケージ(全鉛フリー)
8 ピン SOIC 208 mil ( SOC008 ) - S25FL128L のみ
WSON 5 x 6 mm ( WND008 ) - S25FL128L のみ
WSON 6 x 8 mm ( WNG008 ) - S25FL256L のみ
16 ピン SOIC 300 mil ( SO3016 )
BGA - 24 6 x 8 mm
5 x 5 ボール( FAB024 )フットプリント
4 x 6 ボール( FAC024 )フットプリント
クロック極性及び位相モード 0 及び 3
Double Data Rate ( DDR )オプション
クワッドペリフェラルインターフェイス( QPI )オプション
拡張アドレッシング: 24 ビットまたは 32 ビットのアドレスオプション
シリアルコマンドのサブセットとフットプリントは、 S25FL-A 、 S25FL1-K 、 S25FL-P 、 S25FL-S 、 S25FS-S SPI ファミリと互換性があります
S25FL-P 、 S25FL-S 、 S25FS-S SPI ファミリと互換性のあるマルチ I/O コマンドサブセット及びフットプリント
読み取り
コマンド:通常、高速、デュアル I/O 、クワッド I/O 、 DualO 、 QuadO 、 DDR Quad I/O
モード:バーストラップ、連続( XIP )、 QPI
構成情報用のシリアルフラッシュ検出可能パラメータ( SFDP )。
プログラムアーキテクチャ
256 バイトのページプログラミングバッファです
3.0 V FL-L フラッシュメモリ
プログラムの一時停止と再開
アーキテクチャを消去します
均一な 4 KB セクタ消去
均一な 32 KB ハーフブロック消去
Uniform 64 KB Block Erase (ユニフォーム 64 KB ブロック消去
チップ消去
サスペンドとレジュームを消去します
100 、 000 回以上のプログラム / 消去サイクル
20 年間のデータ保持(最小)
セキュリティ機能
ステータスおよびコンフィギュレーションレジスタ保護
4 つのセキュリティ領域(それぞれ 256 バイト)がメインの外部にあります
フラッシュアレイ
レガシーブロック保護 : ブロック範囲
個人および地域の保護
個別ブロックロック:揮発性の個別セクタ / ブロック
ポインタ領域:不揮発性セクタ / ブロック範囲
電源装置のロックダウン、パスワード、またはセキュリティリージョン 2 および 3 およびポインタリージョンの永続的な保護
テクノロジー
65 nm 浮動ゲート技術
単電源電圧、 CMOS I/O 搭載
2.7 → 3.6 V
パッケージ(全鉛フリー)
8 ピン SOIC 208 mil ( SOC008 ) - S25FL128L のみ
WSON 5 x 6 mm ( WND008 ) - S25FL128L のみ
WSON 6 x 8 mm ( WNG008 ) - S25FL256L のみ
16 ピン SOIC 300 mil ( SO3016 )
BGA - 24 6 x 8 mm
5 x 5 ボール( FAB024 )フットプリント
4 x 6 ボール( FAC024 )フットプリント
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