Winbond, フラッシュメモリ, 1Gbit, パラレル, 63-Pin, W29N01HZBINA

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梱包形態
RS品番:
188-2785P
メーカー型番:
W29N01HZBINA
メーカー/ブランド名:
Winbond
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ブランド

Winbond

メモリサイズ

1Gbit

インターフェースタイプ

パラレル

パッケージタイプ

VFBGA

ピン数

63

構成

128 M x 8ビット

実装タイプ

表面実装

セルタイプ

SLC NAND

動作供給電圧 Min

1.7 V

動作供給電圧 Max

1.95 V

ブロック構成

対称

長さ

11.1mm

高さ

0.6mm

幅

9.1mm

寸法

11.1 x 9.1 x 0.6mm

動作温度 Min

-40°C

シリーズ

W29N

最大ランダムアクセス時間

25µs

1ワード当たりのビット数

8bit

動作温度 Max

+85 ℃

ワード数

128M

COO（原産国）:
TW
密度：1Gビット（シングルチップ・ソリューション）
Vcc : 1.7V～1.95V
バス幅：x8 x16
動作温度
産業用: -40°C～85°C
シングルレベルセル（SLC）技術。
組織
密度：1Gビット/128Mバイト
ページサイズ
2112バイト（2048＋64バイト）
1056語（1024＋32語）
ブロックサイズ
64ページ（128K＋4Kバイト）
64ページ（64K＋2Kワード）
最高のパフォーマンス
読み取り性能（最大）
ランダムリード：25秒
シーケンシャル・リード・サイクル：25ns
書き込み消去性能
ページプログラム時間：250us(typ.)
ブロック消去時間：2ms(typ.)
耐久性 100,000消去/プログラムサイクル(1)
10年間のデータ保持
コマンドセット
標準NANDコマンド
追加コマンドのサポート
コピーバック
最小消費電力
読み出し：13 mA(typ.)
プログラム/消去:10mA(typ)
CMOSスタンバイ：10uA(typ.)
スペース効率の良いパッケージング
48ピン標準TSOP1
48ボールVFBGA
63ボールVFBGA
68ボールWLCSP

均一な2KB+64Bページサイズの1Gb SLC NANDフラッシュメモリ。

バス幅：x8
ランダムリード：25秒
ページプログラム時間：250us(typ.)
ブロック消去時間：2ms(typ.)

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。