Infineon フラッシュメモリ NOR, 256 MB, SPI, 24-Pin, S25FL256SAGBHV200 BGA
- RS品番:
- 193-8746
- メーカー型番:
- S25FL256SAGBHV200
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 193-8746
- メーカー型番:
- S25FL256SAGBHV200
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| メモリサイズ | 256MB | |
| プロダクトタイプ | フラッシュメモリ | |
| インタフェースタイプ | SPI | |
| パッケージ型式 | BGA | |
| ピン数 | 24 | |
| 構成 | 32M x 8 Bit | |
| 最大クロック周波数 | 133MHz | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| セルタイプ | NOR | |
| 最小電源電圧 | 2.7V | |
| 最大電源電圧 | 3.6V | |
| タイミングタイプ | 同期 | |
| 動作温度 Min | -40°C | |
| 動作温度 Max | 105°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 高さ | 1mm | |
| 幅 | 6 mm | |
| 長さ | 8mm | |
| 1ワード当たりのビット数 | 8 | |
| ワード数 | 32M | |
| 自動車規格 | AEC-Q100 | |
| 最大ランダムアクセス時間 | 14.5ns | |
| シリーズ | S25FL256S | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
メモリサイズ 256MB | ||
プロダクトタイプ フラッシュメモリ | ||
インタフェースタイプ SPI | ||
パッケージ型式 BGA | ||
ピン数 24 | ||
構成 32M x 8 Bit | ||
最大クロック周波数 133MHz | ||
取付タイプ 表面 | ||
セルタイプ NOR | ||
最小電源電圧 2.7V | ||
最大電源電圧 3.6V | ||
タイミングタイプ 同期 | ||
動作温度 Min -40°C | ||
動作温度 Max 105°C | ||
規格 / 承認 No | ||
高さ 1mm | ||
幅 6 mm | ||
長さ 8mm | ||
1ワード当たりのビット数 8 | ||
ワード数 32M | ||
自動車規格 AEC-Q100 | ||
最大ランダムアクセス時間 14.5ns | ||
シリーズ S25FL256S | ||
このデバイスファミリは、 SPI を介してホストシステムに接続します。従来の SPI シングルビットシリアル入出力(シングル I/O 又は SIO )、オプションの 2 ビット(デュアル I/O 又は DIO )及び 4 ビット(クワッド I/O 又は QIO )シリアルコマンドがサポートされています。このマルチ幅インターフェイスは、 SPI マルチ I/O 又は MIO と呼ばれています。さらに、 FL-S ファミリは、 SIO 、 DIO 、 QIO の DDR 読み取りコマンドのサポートを追加しており、クロックの両端でアドレスと読み取りデータを転送します。 Eclipse アーキテクチャは、 1 回の操作で最大 128 ワード( 256 バイト)又は 256 ワード( 512 バイト)をプログラムできるページプログラミングバッファを備えているため、前世代の SPI プログラムや消去アルゴリズムより Fasterフラッシュメモリから直接コードを実行することは、 Execute-In-Place または XIP と呼ばれることがあります。QIO コマンド又は DDR-QIO コマンドにより、 FL-S デバイスを使用することで、命令読み取り転送速度は、従来のパラレルインターフェイス、非同期、 NOR フラッシュメモリと同等又はそれを上回ると同時に、信号数が劇的に減少します。 S25FL128S / S25FL256S 製品は、高密度と柔軟性、及びさまざまな組み込み用途で必要とされる高速性能を提供します。コードシャドウ、 XIP 、及びデータストレージに最適です。
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