Infineon フラッシュメモリ NOR, 8 MB, CFI, 48-Pin TSOP

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RS品番:
193-8784
メーカー型番:
S29AL008J70TFI013
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

フラッシュメモリ

メモリサイズ

8MB

インタフェースタイプ

CFI

パッケージ型式

TSOP

ピン数

48

構成

1M x 8 Bit

取付タイプ

表面

セルタイプ

NOR

最大電源電圧

3.6V

最小電源電圧

2.7V

タイミングタイプ

非同期

動作温度 Min

-40°C

動作温度 Max

85°C

長さ

12mm

規格 / 承認

No

高さ

1.05mm

幅

12 mm

シリーズ

S29AL008J

1ワード当たりのビット数

8

自動車規格

AEC-Q100

ワード数

1M

最大ランダムアクセス時間

70ns

供給電流

20mA

S29AL008J は、 8 Mbit 、 3.0 V のみのフラッシュメモリで、 1,048,576 バイト（ 524,288 ワード）で構成されています。このデバイスは、 48 ボールファインピッチ BGA （ 0.8 mm ピッチ）パッケージと 48 ピン TSOP パッケージで提供されています。ワードワイド・データ（ x16 ）は DQ15 ～ DQ0 に表示され、バイトワイド（ x8 ）データは DQ7 ～ DQ0 に表示されます。この装置は、標準システム 3.0 V VCC 電源でインシステムにプログラムするように設計されています。書き込み又は消去操作に 12.0 V VPP 又は 5.0 VCC は必要ありません。このデバイスは、標準の EPROM プログラマでプログラムすることもできます。

このデバイスは、最大 55 ns のアクセス時間を実現し、待機状態なしで高速マイクロプロセッサを動作できます。バスコンテンションを解消するために、このデバイスには独立したチップイネーブル（ CE# ）、書き込みイネーブル（ WE # ）、出力イネーブル（ OE # ）の各制御があります。

デバイスプログラミングは、プログラムコマンドシーケンスを実行することによって行われます。これにより、プログラムパルス幅を自動的に計算し、適切なセルマージンを検証する内部アルゴリズムとして、エンベデッド・プログラム・アルゴリズムが開始されます。 アンロックバイパスモードでは、 4 回ではなく 2 回の書き込みサイクルでデータをプログラムすることができるため、プログラミング時間が短縮 Faster になります。

デバイス消去は、 erase コマンドシーケンスを実行することによって実行されます。これにより、消去操作を実行する前に、アレイを自動的にプログラムする内部アルゴリズム（まだプログラムされていない場合）が埋め込まれた消去アルゴリズムになります。Duringerase は、消去パルス幅を自動的に計算し、セルマージンが適切であることを確認します。 ホストシステムは、 RY/BY# ピンを確認するか、 DQ7 （データ #Polling ）及び DQ6 （トグル）ステータスビットを読み取ることで、プログラム又は消去の操作が完了したかどうかを検出できます。プログラムまたは消去サイクルが完了すると、デバイスはアレイデータを読み取るか、別のコマンドを受け入れる準備ができます。

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