インフィニオン, フラッシュメモリ, 16Mbit, CFI, 48-Pin, S29AL016J70TFI013
- RS品番:
- 193-8787
- メーカー型番:
- S29AL016J70TFI013
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 193-8787
- メーカー型番:
- S29AL016J70TFI013
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| メモリサイズ | 16Mbit | |
| インターフェースタイプ | CFI | |
| パッケージタイプ | TSOP | |
| ピン数 | 48 | |
| 構成 | 2 M x 8ビット | |
| 実装タイプ | 表面実装 | |
| セルタイプ | NOR | |
| 動作供給電圧 Min | 2.7 V | |
| 動作供給電圧 Max | 3.6 V | |
| ブロック構成 | 非対称 | |
| 長さ | 12mm | |
| 高さ | 1.05mm | |
| 幅 | 18.4mm | |
| 寸法 | 18.4 x 12 x 1.05mm | |
| 1ワード当たりのビット数 | 8bit | |
| 最大ランダムアクセス時間 | 70ns | |
| シリーズ | S29AL | |
| 自動車規格 | AEC-Q100 | |
| 動作温度 Min | -40 °C | |
| 動作温度 Max | +85 °C | |
| ワード数 | 2M | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
メモリサイズ 16Mbit | ||
インターフェースタイプ CFI | ||
パッケージタイプ TSOP | ||
ピン数 48 | ||
構成 2 M x 8ビット | ||
実装タイプ 表面実装 | ||
セルタイプ NOR | ||
動作供給電圧 Min 2.7 V | ||
動作供給電圧 Max 3.6 V | ||
ブロック構成 非対称 | ||
長さ 12mm | ||
高さ 1.05mm | ||
幅 18.4mm | ||
寸法 18.4 x 12 x 1.05mm | ||
1ワード当たりのビット数 8bit | ||
最大ランダムアクセス時間 70ns | ||
シリーズ S29AL | ||
自動車規格 AEC-Q100 | ||
動作温度 Min -40 °C | ||
動作温度 Max +85 °C | ||
ワード数 2M | ||
- COO(原産国):
- TH
S29AL016J は、 16 Mbit 、 3.0 V のみのフラッシュメモリで、 2 、 097 、 152 バイト又は 1 、 048 、 576 ワードとして構成されています。このデバイスは、 48 ボール・ファイン・ピッチ BGA ( 0.8 mm ピッチ)、 64 ボール・強化 BGA ( 1.0 mm ピッチ)、 48 ピン TSOP パッケージで提供されています。ワードワイド・データ( x16 )は DQ15 ~ DQ0 に表示され、バイトワイド( x8 )データは DQ7 ~ DQ0 に表示されます。この装置は、標準システム 3.0 V VCC 電源でインシステムにプログラムするように設計されています。書き込み又は消去操作に 12.0 V VPP 又は 5.0 VCC は必要ありません。このデバイスは、標準の EPROM プログラマでプログラムすることもできます。
このデバイスは 55 ns のアクセス時間を提供し、待機状態なしで高速マイクロプロセッサを動作できます。バスコンテンションを解消するために、このデバイスには独立したチップイネーブル( CE# )、書き込みイネーブル( WE # )、出力イネーブル( OE # )の各制御があります。
デバイスプログラミングは、プログラムコマンドシーケンスを実行することによって行われます。これにより、プログラムパルス幅を自動的に計算し、適切なセルマージンを検証する内部アルゴリズムとして、エンベデッド・プログラム・アルゴリズムが開始されます。 アンロックバイパスモードでは、 4 回ではなく 2 回の書き込みサイクルでデータをプログラムすることができるため、プログラミング時間が短縮 Faster になります。
デバイス消去は、 erase コマンドシーケンスを実行することによって実行されます。これにより、消去操作を実行する前に、アレイを自動的にプログラムする内部アルゴリズム(まだプログラムされていない場合)が埋め込まれた消去アルゴリズムになります。消去中に、デバイスは消去パルス幅を自動的に回し、適切なセルマージンを確認します。 ホストシステムは、 RY/BY# ピンを確認するか、 DQ7 (データ #Polling )及び DQ6 (トグル)ステータスビットを読み取ることで、プログラム又は消去の操作が完了したかどうかを検出できます。プログラムまたは消去サイクルが完了すると、デバイスはアレイデータを読み取るか、別のコマンドを受け入れる準備ができます。
このデバイスは 55 ns のアクセス時間を提供し、待機状態なしで高速マイクロプロセッサを動作できます。バスコンテンションを解消するために、このデバイスには独立したチップイネーブル( CE# )、書き込みイネーブル( WE # )、出力イネーブル( OE # )の各制御があります。
デバイスプログラミングは、プログラムコマンドシーケンスを実行することによって行われます。これにより、プログラムパルス幅を自動的に計算し、適切なセルマージンを検証する内部アルゴリズムとして、エンベデッド・プログラム・アルゴリズムが開始されます。 アンロックバイパスモードでは、 4 回ではなく 2 回の書き込みサイクルでデータをプログラムすることができるため、プログラミング時間が短縮 Faster になります。
デバイス消去は、 erase コマンドシーケンスを実行することによって実行されます。これにより、消去操作を実行する前に、アレイを自動的にプログラムする内部アルゴリズム(まだプログラムされていない場合)が埋め込まれた消去アルゴリズムになります。消去中に、デバイスは消去パルス幅を自動的に回し、適切なセルマージンを確認します。 ホストシステムは、 RY/BY# ピンを確認するか、 DQ7 (データ #Polling )及び DQ6 (トグル)ステータスビットを読み取ることで、プログラム又は消去の操作が完了したかどうかを検出できます。プログラムまたは消去サイクルが完了すると、デバイスはアレイデータを読み取るか、別のコマンドを受け入れる準備ができます。
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
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