インフィニオン, フラッシュメモリ, 512Mbit, SPI, 64-Pin, S25FL512SAGBHVA10
- RS品番:
- 273-5406
- メーカー型番:
- S25FL512SAGBHVA10
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 273-5406
- メーカー型番:
- S25FL512SAGBHVA10
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| メモリサイズ | 512Mbit | |
| インターフェースタイプ | SPI | |
| パッケージタイプ | SOIC | |
| ピン数 | 64 | |
| 構成 | 64 MB | |
| セルタイプ | NOR | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
メモリサイズ 512Mbit | ||
インターフェースタイプ SPI | ||
パッケージタイプ SOIC | ||
ピン数 64 | ||
構成 64 MB | ||
セルタイプ NOR | ||
Infineonフラッシュメモリは、さまざまな組み込みアプリケーションに必要な柔軟性と高速性能と高密度を備えています。コードシャドウ、XIP、データストレージに最適です。フラッシュメモリから直接コードを実行する場合は、Execute in Place又はXIPと呼ばれます。サポートされる高いクロックレートでFL Sデバイスを使用することで、QIO又はDDR QIOコマンドを使用することで、指示読み取り転送速度は従来のパラレルインターフェイス、非同期、NORフラッシュメモリに匹敵するか、それを上回ることができます。また、信号数を大幅に削減します。
鉛フリーパッケージ
マルチIO付きSPI
先進セクタ保護
データ保持期間: 最小20年
CMOS 3.0 Vコア、汎用性の高いIO
最小100000回のプログラム / 消去サイクル
マルチIO付きSPI
先進セクタ保護
データ保持期間: 最小20年
CMOS 3.0 Vコア、汎用性の高いIO
最小100000回のプログラム / 消去サイクル
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