マイクロチップ, フラッシュメモリ スプリットゲート, 8 MB, SPI, 8-Pin, SST26WF080B-104I/SN SOIC

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梱包形態
RS品番:
869-6195
メーカー型番:
SST26WF080B-104I/SN
メーカー/ブランド名:
Microchip
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ブランド

Microchip

プロダクトタイプ

フラッシュメモリ

メモリサイズ

8MB

インタフェースタイプ

SPI

パッケージ型式

SOIC

ピン数

8

構成

1M x 8 Bit

最大クロック周波数

104MHz

取付タイプ

表面

セルタイプ

スプリットゲート

最大電源電圧

1.95V

最小電源電圧

1.65V

動作温度 Min

-40°C

動作温度 Max

85°C

規格 / 承認

No

長さ

4.9mm

幅

4 mm

高さ

1.25mm

シリーズ

SST26WF080B

1ワード当たりのビット数

8

自動車規格

なし

最大ランダムアクセス時間

3ns

ワード数

1M

SST26WF040B/080B/016BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlash®フラッシュメモリ


Microchip製のSST26WFxxxB製品ファミリは、4、8及び16ビットバリアントで使用可能なシリアルクワッドI/O (SQI)フラッシュメモリデバイスです。 これらのデバイスは、シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。また、SRAMでコードシャドウイングを行う必要なしに最低レイテンシのExecute-in-Place (XIP)機能が可能になります。 SST26WFxxxBデバイスは、消費電力が低いため、ポータブルなバッテリ駆動用途に最適です。

特長


動作電圧範囲: 1.6 → 1.95 V

クロック周波数: 最大104 MHz

シリアルインターフェイスアーキテクチャ

低消費電力: アクティブ電流読み取り: 15 mA(104 MHz時の代表値)、スタンバイ電流: 10 μA(代表値)

バーストモード: 連続リニアバースト、ラップアラウンド付き8/16/32/64バイトのリニアバースト

ページプログラム: x1又はx4モードで1ページあたり256バイト

高速消去時間: セクタ / ブロック消去18 ms(代表値)、25 ms(最大値)、チップ消去35 ms(代表値)、50 ms(最大値)

柔軟性の高い消去機能

End-of-Write検出

Write-Suspend

ソフトウェア保護

ソフトウェアリセット(RST)モード

SFDP (シリアルフラッシュ検出可能パラメータ)

フラッシュメモリ、Microchip


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