マイクロチップ, フラッシュメモリ スプリットゲート, 8 MB, SPI, 8-Pin, SST26WF080B-104I/SN SOIC
- RS品番:
- 869-6195
- メーカー型番:
- SST26WF080B-104I/SN
- メーカー/ブランド名:
- Microchip
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- RS品番:
- 869-6195
- メーカー型番:
- SST26WF080B-104I/SN
- メーカー/ブランド名:
- Microchip
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Microchip | |
| メモリサイズ | 8MB | |
| プロダクトタイプ | フラッシュメモリ | |
| インタフェースタイプ | SPI | |
| パッケージ型式 | SOIC | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大クロック周波数 | 104MHz | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| セルタイプ | スプリットゲート | |
| 最小電源電圧 | 1.65V | |
| 最大電源電圧 | 1.95V | |
| 動作温度 Min | -40°C | |
| 動作温度 Max | 85°C | |
| 長さ | 4.9mm | |
| 高さ | 1.25mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 1ワード当たりのビット数 | 8 | |
| シリーズ | SST26WF080B | |
| 最大ランダムアクセス時間 | 3ns | |
| ワード数 | 1M | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Microchip | ||
メモリサイズ 8MB | ||
プロダクトタイプ フラッシュメモリ | ||
インタフェースタイプ SPI | ||
パッケージ型式 SOIC | ||
ピン数 8 | ||
最大クロック周波数 104MHz | ||
取付タイプ 表面 | ||
セルタイプ スプリットゲート | ||
最小電源電圧 1.65V | ||
最大電源電圧 1.95V | ||
動作温度 Min -40°C | ||
動作温度 Max 85°C | ||
長さ 4.9mm | ||
高さ 1.25mm | ||
規格 / 承認 No | ||
1ワード当たりのビット数 8 | ||
シリーズ SST26WF080B | ||
最大ランダムアクセス時間 3ns | ||
ワード数 1M | ||
自動車規格 なし | ||
SST26WF040B/080B/016BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlash®フラッシュメモリ
Microchip製のSST26WFxxxB製品ファミリは、4、8及び16ビットバリアントで使用可能なシリアルクワッドI/O (SQI)フラッシュメモリデバイスです。 これらのデバイスは、シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。また、SRAMでコードシャドウイングを行う必要なしに最低レイテンシのExecute-in-Place (XIP)機能が可能になります。 SST26WFxxxBデバイスは、消費電力が低いため、ポータブルなバッテリ駆動用途に最適です。
特長
動作電圧範囲: 1.6 → 1.95 V
クロック周波数: 最大104 MHz
シリアルインターフェイスアーキテクチャ
低消費電力: アクティブ電流読み取り: 15 mA(104 MHz時の代表値)、スタンバイ電流: 10 μA(代表値)
バーストモード: 連続リニアバースト、ラップアラウンド付き8/16/32/64バイトのリニアバースト
ページプログラム: x1又はx4モードで1ページあたり256バイト
高速消去時間: セクタ / ブロック消去18 ms(代表値)、25 ms(最大値)、チップ消去35 ms(代表値)、50 ms(最大値)
柔軟性の高い消去機能
End-of-Write検出
Write-Suspend
ソフトウェア保護
ソフトウェアリセット(RST)モード
SFDP (シリアルフラッシュ検出可能パラメータ)
フラッシュメモリ、Microchip
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