4 M ビットの強誘電体ランダムアクセスメモリ（ F-RAM ）は、論理的に 512 K x 8 として構成されています 高耐久性： 100 兆（ 1014 ）の読み取り / 書き込み 151 年間のデータ保持 NODELAY ™書き込み Advanced の高信頼性強誘電体プロセス 超高速シリアルペリフェラルインターフェイス（ SPI ） 周波数：最大 40 MHz シリアルフラッシュ及び EEPROM のハードウェアを直接交換するための製品です SPI モード 0 （ 0 、 0 ）及びモード 3 （ 1 、 1 ）をサポート 洗練された書き込み保護スキーム 書き込み保護（ WP ）ピンを使用したハードウェア保護 書き込み禁止命令を使用したソフトウェア保護 1/4 、 1/2 、またはアレイ全体のソフトウェアブロック保護 デバイス ID メーカー ID と製品 ID 低消費電力 アクティブ電流： 300 μ A @ 1 MHz スタンバイ電流： 100 μ A （標準 スリープモード電流： 3 μ A （標準 低電圧動作： VDD = 2.0 → 3.6 V 産業用温度： -40 → +85 ° C パッケージ 8 ピン小型アウトライン集積回路（ SOIC ）パッケージ 8 ピン薄型デュアルフラット NO リード（ TDFN ）パッケージ
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FRAM (強誘電体RAM)
FRAM (強誘電体ランダムアクセスメモリ)は、データを格納するためのコンデンサとして強誘電体フィルムを使用する不揮発性メモリです。 F-RAMは、ROMデバイスとRAMデバイスの両方の特性を備えており、高速アクセス、書き込みモードにおける高い耐久性、低電力消費、不揮発性、優れた改ざん防止機能を特徴としています。 そのため、高セキュリティ、低電力消費が求められるスマートカードや、携帯電話その他のデバイスに理想的なメモリです。
