インフィニオン FRAMメモリ, 4Mbit, SOIC, SPI, CY15B104Q-SXI
- RS品番:
- 124-2933P
- メーカー型番:
- CY15B104Q-SXI
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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|---|---|
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| 70 + | ￥3,256 |
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- RS品番:
- 124-2933P
- メーカー型番:
- CY15B104Q-SXI
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| メモリサイズ | 4Mbit | |
| 構成 | 512 K x 8ビット | |
| インターフェースタイプ | SPI | |
| データバス幅 | 8bit | |
| 最大ランダムアクセス時間 | 16ns | |
| 実装タイプ | 表面実装 | |
| パッケージタイプ | SOIC | |
| ピン数 | 8 | |
| 寸法 | 5.33 x 5.33 x 1.78mm | |
| 長さ | 5.33mm | |
| 動作供給電圧 Max | 3.6 V | |
| 幅 | 5.33mm | |
| 高さ | 1.78mm | |
| 動作温度 Max | +85 °C | |
| 動作供給電圧 Min | 2 V | |
| 1ワード当たりのビット数 | 8bit | |
| ワード数 | 512K | |
| 動作温度 Min | -40 °C | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
メモリサイズ 4Mbit | ||
構成 512 K x 8ビット | ||
インターフェースタイプ SPI | ||
データバス幅 8bit | ||
最大ランダムアクセス時間 16ns | ||
実装タイプ 表面実装 | ||
パッケージタイプ SOIC | ||
ピン数 8 | ||
寸法 5.33 x 5.33 x 1.78mm | ||
長さ 5.33mm | ||
動作供給電圧 Max 3.6 V | ||
幅 5.33mm | ||
高さ 1.78mm | ||
動作温度 Max +85 °C | ||
動作供給電圧 Min 2 V | ||
1ワード当たりのビット数 8bit | ||
ワード数 512K | ||
動作温度 Min -40 °C | ||
- COO（原産国）:
- US
FRAM、サイプレス半導体
強誘電体RAM（ F-RAM ）はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。
不揮発性強誘電体RAMメモリ
高速書き込み
高耐久性
低消費電力
高速書き込み
高耐久性
低消費電力
4 M ビットの強誘電体ランダムアクセスメモリ（ F-RAM ）は、論理的に 512 K x 8 として構成されています
高耐久性： 100 兆（ 1014 ）の読み取り / 書き込み
151 年間のデータ保持
NODELAY ™書き込み
Advanced の高信頼性強誘電体プロセス
超高速シリアルペリフェラルインターフェイス（ SPI ）
周波数：最大 40 MHz
シリアルフラッシュ及び EEPROM のハードウェアを直接交換するための製品です
SPI モード 0 （ 0 、 0 ）及びモード 3 （ 1 、 1 ）をサポート
洗練された書き込み保護スキーム
書き込み保護（ WP ）ピンを使用したハードウェア保護
書き込み禁止命令を使用したソフトウェア保護
1/4 、 1/2 、またはアレイ全体のソフトウェアブロック保護
デバイス ID
メーカー ID と製品 ID
低消費電力
アクティブ電流： 300 μ A @ 1 MHz
スタンバイ電流： 100 μ A （標準
スリープモード電流： 3 μ A （標準
低電圧動作： VDD = 2.0 → 3.6 V
産業用温度： -40 → +85 ° C
パッケージ
8 ピン小型アウトライン集積回路（ SOIC ）パッケージ
8 ピン薄型デュアルフラット NO リード（ TDFN ）パッケージ
高耐久性： 100 兆（ 1014 ）の読み取り / 書き込み
151 年間のデータ保持
NODELAY ™書き込み
Advanced の高信頼性強誘電体プロセス
超高速シリアルペリフェラルインターフェイス（ SPI ）
周波数：最大 40 MHz
シリアルフラッシュ及び EEPROM のハードウェアを直接交換するための製品です
SPI モード 0 （ 0 、 0 ）及びモード 3 （ 1 、 1 ）をサポート
洗練された書き込み保護スキーム
書き込み保護（ WP ）ピンを使用したハードウェア保護
書き込み禁止命令を使用したソフトウェア保護
1/4 、 1/2 、またはアレイ全体のソフトウェアブロック保護
デバイス ID
メーカー ID と製品 ID
低消費電力
アクティブ電流： 300 μ A @ 1 MHz
スタンバイ電流： 100 μ A （標準
スリープモード電流： 3 μ A （標準
低電圧動作： VDD = 2.0 → 3.6 V
産業用温度： -40 → +85 ° C
パッケージ
8 ピン小型アウトライン集積回路（ SOIC ）パッケージ
8 ピン薄型デュアルフラット NO リード（ TDFN ）パッケージ
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
FRAM (強誘電体RAM)
FRAM (強誘電体ランダムアクセスメモリ)は、データを格納するためのコンデンサとして強誘電体フィルムを使用する不揮発性メモリです。 F-RAMは、ROMデバイスとRAMデバイスの両方の特性を備えており、高速アクセス、書き込みモードにおける高い耐久性、低電力消費、不揮発性、優れた改ざん防止機能を特徴としています。 そのため、高セキュリティ、低電力消費が求められるスマートカードや、携帯電話その他のデバイスに理想的なメモリです。