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すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	インフィニオン
	プロダクトタイプ	FRAM
	メモリサイズ	4MB
	構成	512 K x 8 bit
	インタフェースタイプ	QSPI
	データバス幅	8bit
	最大クロック周波数	108MHz
	パッケージ型式	SOIC
	ピン数	8
	規格 / 承認	RoHS Compliant
	動作温度 Max	85°C
	ワード数	512K
	最小電源電圧	1.80V
	自動車規格	なし
	動作温度 Min	-40°C
	1ワード当たりのビット数	8
	最大電源電圧	3.6V

	すべて選択
	ブランドインフィニオン
	プロダクトタイプ FRAM
	メモリサイズ 4MB
	構成 512 K x 8 bit
	インタフェースタイプ QSPI
	データバス幅 8bit
	最大クロック周波数 108MHz
	パッケージ型式 SOIC
	ピン数 8
	規格 / 承認 RoHS Compliant
	動作温度 Max 85°C
	ワード数 512K
	最小電源電圧 1.80V
	自動車規格なし
	動作温度 Min -40°C
	1ワード当たりのビット数 8
	最大電源電圧 3.6V

Datasheet - CY15B104QSN-108SXI

Infineon FRAM、メモリサイズ4MB、供給電圧1.8V～3.6V - CY15B104QSN-108SXI

このFRAMは、組み込み用途向けの8ピンSOICパッケージで不揮発性の高速メモリストレージを提供します。さまざまなシステム電圧に適した幅広い電源範囲で動作し、クワッドSPIインターフェース経由でアクセスされ、加速シリアルメモリ転送をサポートします。このデバイスは、延長温度動作に対応し、標準的なコンシューマコンポーネントが不十分な過酷な環境条件での使用が可能です。

特長および利点：

• 108MHzの最大クロック周波数により、より高速なシリアル転送を実現
• 4 MB密度により、大容量の不揮発性ストレージを実現
• 8ビットデータバスにより、バイト指向システムアーキテクチャをサポート
• 1.8V～3.6Vの動作範囲により、電力領域の複雑さを低減
• -40°C～85°C定格により、幅広い温度範囲で動作可能

用途

• 産業用制御システムのデータ記録に最適
• 組み込みコントローラーのファームウェアストレージに最適
• バッテリバック付きシステムで頻繁な書き込みに使用
• 計測機器のパラメータ保存に使用可能
• 低電力センサーノードメモリ要件に最適

高速通信にはどのようなインターフェースを使用しますか?

クワッドSPI (QSPI) インターフェースを使用し、並列シリアルデータランと高スループットを実現します。

ソフトウェアアドレス用のメモリはどのように整理されていますか？

メモリは8ビットの512Kワードとして配置されており、4 MBアレイ全体でリニアバイトをアドレスすることができます。

設計者はどのようなパッケージとピン数を計画する必要がありますか?

このコンポーネントは、8ピンのSOICパッケージで提供され、簡単なプリント基板レイアウトを実現します。

安全な動作にはどのような環境制限がありますか?

このデバイスは、-40°C～85°Cの温度範囲で動作し、幅広い用途で使用できます。

製造に関する材料や規制上の考慮事項はありますか?

このコンポーネントは、制限物質に関するRoHS要件に適合しています。

Infineon FRAM, 4 MB, 512 K x 8 bit, QSPI, 8 bit, 108 MHz, 1.80 V ～ 3.6V, 8ピン SOIC