Infineon FRAM, 2 MB, SOIC, SPI, 8-Pin

RS品番:: 188-3437
メーカー型番:: CY15V102QN-50SXE
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

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94 - 94	￥1,869.117	￥175,697
188 - 846	￥1,831.181	￥172,131
940 - 1316	￥1,795.021	￥168,732
1410 - 1786	￥1,758.851	￥165,332
1880 +	￥1,723.574	￥162,016

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RS品番:: 188-3437
メーカー型番:: CY15V102QN-50SXE
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	インフィニオン
	プロダクトタイプ	FRAM
	メモリサイズ	2MB
	構成	256k x 8 Bit
	インタフェースタイプ	SPI
	データバス幅	8bit
	最大ランダムアクセス時間	9ns
	最大クロック周波数	50MHz
	取付タイプ	表面
	パッケージ型式	SOIC
	ピン数	8
	長さ	5.3mm
	規格 / 承認	No
	高さ	1.78mm
	幅	5.3 mm
	動作温度 Max	125°C
	自動車規格	AEC-Q100
	1ワード当たりのビット数	8
	動作温度 Min	-40°C
	最大電源電圧	1.89V
	最小電源電圧	1.71V
	ワード数	256K

	すべて選択
	ブランドインフィニオン
	プロダクトタイプ FRAM
	メモリサイズ 2MB
	構成 256k x 8 Bit
	インタフェースタイプ SPI
	データバス幅 8bit
	最大ランダムアクセス時間 9ns
	最大クロック周波数 50MHz
	取付タイプ表面
	パッケージ型式 SOIC
	ピン数 8
	長さ 5.3mm
	規格 / 承認 No
	高さ 1.78mm
	幅 5.3 mm
	動作温度 Max 125°C
	自動車規格 AEC-Q100
	1ワード当たりのビット数 8
	動作温度 Min -40°C
	最大電源電圧 1.89V
	最小電源電圧 1.71V
	ワード数 256K

256Kx8として論理構成された2Mビット強誘電体ランダム・アクセス・メモリ（F-RAM）

10兆回(1013回)の読み取り/書き込みサイクルという事実上無制限の耐久性

121年間のデータ保持

NoDelay™はこう書いている。

先進の高信頼性強誘電体プロセス

高速シリアル・ペリフェラル・インターフェース（SPI）

最大周波数50 MHz

SPIモード0（0、0）およびモード3（1、1）をサポート

洗練された書き込み保護スキーム

ライトプロテクト（WP）ピンを使用したハードウェア保護

書き込み禁止(WRDI)命令によるソフトウェア保護

1/4、1/2、またはアレイ全体のソフトウェアブロック保護

デバイスIDとシリアル番号

デバイスIDには、メーカーIDと製品IDが含まれる

ユニークID

シリアル番号

専用256バイトF-RAM

専用特殊セクターの書き込みと読み出し

保存された内容は、標準的なリフローはんだ付けサイクルに3回まで耐えることができます。

低消費電力

3.7 mA (typ) 40 MHzでのアクティブ電流

2.7 μA (typ) スタンバイ電流

1.1 μA (typ) ディープパワーダウンモード電流

0.1 μA (typ) ハイバネートモード電流

低電圧動作：

CY15V102QN: VDD = 1.71 V to 1.89 V

CY15B102QN: VDD = 1.8 V to 3.6 V

車載動作温度：-40 °C ～ +125 °C

AEC-Q100グレード1準拠

8ピン小外形集積回路（SOIC）パッケージ