Infineon FRAM, 2 MB, SOIC, SPI, 8-Pin, CY15V102QN-50SXE

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梱包形態
RS品番:
188-3468
メーカー型番:
CY15V102QN-50SXE
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

メモリサイズ

2MB

プロダクトタイプ

FRAM

構成

256k x 8 Bit

インタフェースタイプ

SPI

データバス幅

8bit

最大ランダムアクセス時間

9ns

最大クロック周波数

50MHz

取付タイプ

表面

パッケージ型式

SOIC

ピン数

8

規格 / 承認

No

高さ

1.78mm

長さ

5.3mm

5.3 mm

動作温度 Max

125°C

最大電源電圧

1.89V

1ワード当たりのビット数

8

動作温度 Min

-40°C

自動車規格

AEC-Q100

ワード数

256K

最小電源電圧

1.71V

256Kx8として論理構成された2Mビット強誘電体ランダム・アクセス・メモリ(F-RAM)

10兆回(1013回)の読み取り/書き込みサイクルという事実上無制限の耐久性

121年間のデータ保持

NoDelay™はこう書いている。

先進の高信頼性強誘電体プロセス

高速シリアル・ペリフェラル・インターフェース(SPI)

最大周波数50 MHz

SPIモード0(0、0)およびモード3(1、1)をサポート

洗練された書き込み保護スキーム

ライトプロテクト(WP)ピンを使用したハードウェア保護

書き込み禁止(WRDI)命令によるソフトウェア保護

1/4、1/2、またはアレイ全体のソフトウェアブロック保護

デバイスIDとシリアル番号

デバイスIDには、メーカーIDと製品IDが含まれる

ユニークID

シリアル番号

専用256バイトF-RAM

専用特殊セクターの書き込みと読み出し

保存された内容は、標準的なリフローはんだ付けサイクルに3回まで耐えることができます。

低消費電力

3.7 mA (typ) 40 MHzでのアクティブ電流

2.7 μA (typ) スタンバイ電流

1.1 μA (typ) ディープパワーダウンモード電流

0.1 μA (typ) ハイバネートモード電流

低電圧動作:

CY15V102QN: VDD = 1.71 V to 1.89 V

CY15B102QN: VDD = 1.8 V to 3.6 V

車載動作温度:-40 °C ~ +125 °C

AEC-Q100グレード1準拠

8ピン小外形集積回路(SOIC)パッケージ

256Kx8として論理構成された2Mビット強誘電体ランダム・アクセス・メモリ(F-RAM)

10兆回(1013回)の読み取り/書き込みサイクルという事実上無制限の耐久性

121年間のデータ保持

NoDelay™はこう書いている。

先進の高信頼性強誘電体プロセス

高速シリアル・ペリフェラル・インターフェース(SPI)

最大周波数50 MHz

SPIモード0(0、0)およびモード3(1、1)をサポート

洗練された書き込み保護スキーム

ライトプロテクト(WP)ピンを使用したハードウェア保護

書き込み禁止(WRDI)命令によるソフトウェア保護

1/4、1/2、またはアレイ全体のソフトウェアブロック保護

デバイスIDとシリアル番号

デバイスIDには、メーカーIDと製品IDが含まれる

ユニークID

シリアル番号

専用256バイトF-RAM

専用特殊セクターの書き込みと読み出し

保存された内容は、標準的なリフローはんだ付けサイクルに3回まで耐えることができます。

低消費電力

3.7 mA (typ) 40 MHzでのアクティブ電流

2.7 μA (typ) スタンバイ電流

1.1 μA (typ) ディープパワーダウンモード電流

0.1 μA (typ) ハイバネートモード電流

低電圧動作:

CY15V102QN: VDD = 1.71 V to 1.89 V

CY15B102QN: VDD = 1.8 V to 3.6 V

車載動作温度:-40 °C ~ +125 °C

AEC-Q100グレード1準拠

8ピン小外形集積回路(SOIC)パッケージ

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

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