インフィニオン FRAMメモリ, 2Mbit, SOIC, シリアル-SPI, CY15V102QN-50SXE
- RS品番:
- 188-3468
- メーカー型番:
- CY15V102QN-50SXE
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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個 | 単価 |
|---|---|
| 1 - 4 | ￥2,451 |
| 5 - 44 | ￥2,353 |
| 45 - 59 | ￥2,256 |
| 60 - 69 | ￥2,157 |
| 70 + | ￥2,061 |
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- RS品番:
- 188-3468
- メーカー型番:
- CY15V102QN-50SXE
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| メモリサイズ | 2Mbit | |
| 構成 | 256 K x 8ビット | |
| インターフェースタイプ | シリアル-SPI | |
| データバス幅 | 8bit | |
| 最大ランダムアクセス時間 | 9ns | |
| 実装タイプ | 表面実装 | |
| パッケージタイプ | SOIC | |
| ピン数 | 8 | |
| 寸法 | 5.33 x 5.33 x 1.78mm | |
| 長さ | 5.33mm | |
| 動作供給電圧 Max | 1.89 V | |
| 幅 | 5.33mm | |
| 高さ | 1.78mm | |
| 動作温度 Max | +125°C | |
| 動作供給電圧 Min | 1.71 V | |
| 1ワード当たりのビット数 | 8bit | |
| 自動車規格 | AEC-Q100 | |
| ワード数 | 256K | |
| 動作温度 Min | -40°C | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
メモリサイズ 2Mbit | ||
構成 256 K x 8ビット | ||
インターフェースタイプ シリアル-SPI | ||
データバス幅 8bit | ||
最大ランダムアクセス時間 9ns | ||
実装タイプ 表面実装 | ||
パッケージタイプ SOIC | ||
ピン数 8 | ||
寸法 5.33 x 5.33 x 1.78mm | ||
長さ 5.33mm | ||
動作供給電圧 Max 1.89 V | ||
幅 5.33mm | ||
高さ 1.78mm | ||
動作温度 Max +125°C | ||
動作供給電圧 Min 1.71 V | ||
1ワード当たりのビット数 8bit | ||
自動車規格 AEC-Q100 | ||
ワード数 256K | ||
動作温度 Min -40°C | ||
256Kx8として論理構成された2Mビット強誘電体ランダム・アクセス・メモリ（F-RAM）
10兆回(1013回)の読み取り/書き込みサイクルという事実上無制限の耐久性
121年間のデータ保持
NoDelay™はこう書いている。
先進の高信頼性強誘電体プロセス
高速シリアル・ペリフェラル・インターフェース（SPI）
最大周波数50 MHz
SPIモード0（0、0）およびモード3（1、1）をサポート
洗練された書き込み保護スキーム
ライトプロテクト（WP）ピンを使用したハードウェア保護
書き込み禁止(WRDI)命令によるソフトウェア保護
1/4、1/2、またはアレイ全体のソフトウェアブロック保護
デバイスIDとシリアル番号
デバイスIDには、メーカーIDと製品IDが含まれる
ユニークID
シリアル番号
専用256バイトF-RAM
専用特殊セクターの書き込みと読み出し
保存された内容は、標準的なリフローはんだ付けサイクルに3回まで耐えることができます。
低消費電力
3.7 mA (typ) 40 MHzでのアクティブ電流
2.7 μA (typ) スタンバイ電流
1.1 μA (typ) ディープパワーダウンモード電流
0.1 μA (typ) ハイバネートモード電流
低電圧動作：
CY15V102QN: VDD = 1.71 V to 1.89 V
CY15B102QN: VDD = 1.8 V to 3.6 V
車載動作温度：-40 °C ～ +125 °C
AEC-Q100グレード1準拠
8ピン小外形集積回路（SOIC）パッケージ
10兆回(1013回)の読み取り/書き込みサイクルという事実上無制限の耐久性
121年間のデータ保持
NoDelay™はこう書いている。
先進の高信頼性強誘電体プロセス
高速シリアル・ペリフェラル・インターフェース（SPI）
最大周波数50 MHz
SPIモード0（0、0）およびモード3（1、1）をサポート
洗練された書き込み保護スキーム
ライトプロテクト（WP）ピンを使用したハードウェア保護
書き込み禁止(WRDI)命令によるソフトウェア保護
1/4、1/2、またはアレイ全体のソフトウェアブロック保護
デバイスIDとシリアル番号
デバイスIDには、メーカーIDと製品IDが含まれる
ユニークID
シリアル番号
専用256バイトF-RAM
専用特殊セクターの書き込みと読み出し
保存された内容は、標準的なリフローはんだ付けサイクルに3回まで耐えることができます。
低消費電力
3.7 mA (typ) 40 MHzでのアクティブ電流
2.7 μA (typ) スタンバイ電流
1.1 μA (typ) ディープパワーダウンモード電流
0.1 μA (typ) ハイバネートモード電流
低電圧動作：
CY15V102QN: VDD = 1.71 V to 1.89 V
CY15B102QN: VDD = 1.8 V to 3.6 V
車載動作温度：-40 °C ～ +125 °C
AEC-Q100グレード1準拠
8ピン小外形集積回路（SOIC）パッケージ
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。