Infineon FRAMメモリ, 256kbit, SOIC, I2C, FM24V02A-G

強誘電体RAM（ F-RAM ）はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。

不揮発性強誘電体RAMメモリ
高速書き込み
高耐久性
低消費電力

256 K ビットの強誘電体ランダムアクセスメモリ（ F-RAM は論理的に 32 K x 8 として構成
高耐久性： 100 兆（ 1014 ）の読み取り / 書き込み
151 年間のデータ保持（データ保持耐久性の表を参照）
NODELAY ™書き込み
Advanced の高信頼性強誘電体プロセス
高速 2 線シリアルインターフェイス（ I2C ）
最大 3.4 MHz の周波数 [1]
シリアル EEPROM の直接ハードウェア交換
従来の 100 kHz と 400 kHz のタイミングをサポートします
デバイス ID
メーカー ID と製品 ID
低消費電力
アクティブ電流： 175 μ A @ 100 kHz
スタンバイ電流： 150 μ A
スリープモード電流： 8 μ A
低電圧動作： VDD = 2.0 → 3.6 V
産業用温度： -40 → +85 ° C
8 ピン小型アウトライン集積回路（ SOIC ）パッケージ

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

FRAM (強誘電体RAM)

FRAM (強誘電体ランダムアクセスメモリ)は、データを格納するためのコンデンサとして強誘電体フィルムを使用する不揮発性メモリです。 F-RAMは、ROMデバイスとRAMデバイスの両方の特性を備えており、高速アクセス、書き込みモードにおける高い耐久性、低電力消費、不揮発性、優れた改ざん防止機能を特徴としています。 そのため、高セキュリティ、低電力消費が求められるスマートカードや、携帯電話その他のデバイスに理想的なメモリです。