ボリュームディスカウント対象商品
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個 | 単価 | 1チューブあたりの価格* |
|---|---|---|
| 97 - 388 | ￥1,920.155 | ￥186,255 |
| 485 - 873 | ￥1,900.67 | ￥184,365 |
| 970 - 2328 | ￥1,862.711 | ￥180,683 |
| 2425 - 4753 | ￥1,825.794 | ￥177,102 |
| 4850 + | ￥1,788.887 | ￥173,522 |
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- RS品番:
- 188-5421
- メーカー型番:
- FM25V10-G
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| メモリサイズ | 1Mbit | |
| 構成 | 128 k x 8ビット | |
| インターフェースタイプ | SPI | |
| データバス幅 | 8bit | |
| 最大ランダムアクセス時間 | 18ns | |
| 実装タイプ | 表面実装 | |
| パッケージタイプ | SOIC | |
| ピン数 | 8 | |
| 寸法 | 4.97 x 3.98 x 1.48mm | |
| 長さ | 4.97mm | |
| 幅 | 3.98mm | |
| 動作供給電圧 Max | 3.6 V | |
| 高さ | 1.48mm | |
| 動作温度 Max | +85 °C | |
| 動作供給電圧 Min | 2 V | |
| 動作温度 Min | -40 °C | |
| 自動車規格 | AEC-Q100 | |
| ワード数 | 128k | |
| 1ワード当たりのビット数 | 8bit | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
メモリサイズ 1Mbit | ||
構成 128 k x 8ビット | ||
インターフェースタイプ SPI | ||
データバス幅 8bit | ||
最大ランダムアクセス時間 18ns | ||
実装タイプ 表面実装 | ||
パッケージタイプ SOIC | ||
ピン数 8 | ||
寸法 4.97 x 3.98 x 1.48mm | ||
長さ 4.97mm | ||
幅 3.98mm | ||
動作供給電圧 Max 3.6 V | ||
高さ 1.48mm | ||
動作温度 Max +85 °C | ||
動作供給電圧 Min 2 V | ||
動作温度 Min -40 °C | ||
自動車規格 AEC-Q100 | ||
ワード数 128k | ||
1ワード当たりのビット数 8bit | ||
- COO（原産国）:
- US
インフィニオン・フレームメモリ、1Mビットメモリサイズ、128K x 8ビット編成 - FM25V10-G
このFRAMメモリは高速データ記憶ソリューション用に設計されており、128K x 8ビットとして整理された1Mビットのメモリサイズを特徴としている。表面実装技術を使用しているため、さまざまな電子システムに簡単に組み込むことができる。外形寸法は4.97mm x 3.98mm x 1.47mmとコンパクトで、スペースに制約のあるアプリケーションに多用途性を提供する。
特徴と利点
• 遅延のない高速書き込み動作が効率を高める
• 高速メモリアクセス用に最大40MHzのSPIインターフェースをサポート
• AEC-Q100に準拠し、信頼性の高い車載メモリ・ソリューションを実現
• 高度な書き込み保護機能により、偶発的なデータ変更を防止
• 高速メモリアクセス用に最大40MHzのSPIインターフェースをサポート
• AEC-Q100に準拠し、信頼性の高い車載メモリ・ソリューションを実現
• 高度な書き込み保護機能により、偶発的なデータ変更を防止
用途
• データロギング用に自動車制御システムに統合
• 迅速なデータ収集のために産業オートメーションに活用
• 不揮発性ストレージを必要とする医療機器に最適
• 性能向上のため家電製品に採用
• 信頼性の高いメモリ保持のためにIoTデバイスに使用される
• 迅速なデータ収集のために産業オートメーションに活用
• 不揮発性ストレージを必要とする医療機器に最適
• 性能向上のため家電製品に採用
• 信頼性の高いメモリ保持のためにIoTデバイスに使用される
このメモリーは産業用途にどのような利点をもたらすのでしょうか？
バス速度で高速書き込みを実行できるため、産業環境においてデータを迅速に取り込むことができ、一刻を争う場面でのデータ損失のリスクを軽減できる。また、100兆サイクルという堅牢な書き込み耐久性は、頻繁なデータ・ロギングをさらにサポートする。
従来のメモリ・ソリューションと比較して、消費電力はどうですか？
効率的に動作し、アクティブ時の消費電流はわずか300μA、スリープモードでは5μAと低い。低消費電力であるため、バッテリー駆動の機器やエネルギー効率が重要なアプリケーションに最適です。
内蔵のプロテクション機能にはどのような利点がありますか？
洗練された書き込み保護メカニズムには、ハードウェアとソフトウェアの両方の制御が含まれており、意図しない書き込みを防止し、ミッションクリティカルなシステムに不可欠な、重要なデータが偶発的な変更から安全に保たれることを保証します。
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
FRAM (強誘電体RAM)
FRAM (強誘電体ランダムアクセスメモリ)は、データを格納するためのコンデンサとして強誘電体フィルムを使用する不揮発性メモリです。 F-RAMは、ROMデバイスとRAMデバイスの両方の特性を備えており、高速アクセス、書き込みモードにおける高い耐久性、低電力消費、不揮発性、優れた改ざん防止機能を特徴としています。 そのため、高セキュリティ、低電力消費が求められるスマートカードや、携帯電話その他のデバイスに理想的なメモリです。