インフィニオン FRAMメモリ, 16kbit, SOIC, シリアル-SPI, FM25C160B-G
- RS品番:
- 273-7384
- メーカー型番:
- FM25C160B-G
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 273-7384
- メーカー型番:
- FM25C160B-G
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| メモリサイズ | 16kbit | |
| 構成 | 2K x 8 | |
| インターフェースタイプ | シリアル-SPI | |
| データバス幅 | 8bit | |
| パッケージタイプ | SOIC | |
| ピン数 | 8 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
メモリサイズ 16kbit | ||
構成 2K x 8 | ||
インターフェースタイプ シリアル-SPI | ||
データバス幅 8bit | ||
パッケージタイプ SOIC | ||
ピン数 8 | ||
- COO（原産国）:
- TH
Infineon FRAMは、高度な強誘電体工程を採用した16 Kビットの非揮発性メモリです。Infineon超強誘電体RAMは不揮発性で、RAMと同様の読み取り / 書き込み操作を実行します。121年間の信頼性の高いデータ保持を実現し、EEPROMやその他の非揮発性メモリによる複雑さ、オーバーヘッド、システムレベルの信頼性問題を排除します。EEPROMとは異なり、バス速度で書き込み操作を実行します。書き込み遅延は発生しません。データは、各バイトがデバイスに転送された直後にメモリ配列に書き込まれます。次のバスサイクルは、データポーリングなしで開始することができます。さらに、この製品は、他の非揮発性メモリと比較して大きな書き込み耐久性を備えています。
RoHS準拠
低消費電力
AEC Q100グレード1準拠
非常に高速なシリアル周辺機器インターフェイス
高度な書き込み保護スキーム
高耐久性: 10兆回の読み取り / 書き込み
高度な信頼性の高い強誘電体工程
低消費電力
AEC Q100グレード1準拠
非常に高速なシリアル周辺機器インターフェイス
高度な書き込み保護スキーム
高耐久性: 10兆回の読み取り / 書き込み
高度な信頼性の高い強誘電体工程