STMicroelectronics MOSFETゲートドライバ 10 mA SO 1 14-Pin ハイサイド 反転 表面実装

TD350E デバイスは、 IGBT 及びパワー MOSFET 用の Advanced ゲートドライバです。制御機能と保護機能が搭載されており、信頼性の高いシステム設計が可能です。
革新的なアクティブ Miller クランプ機能により、ほとんどの用途で負のゲートドライブが不要になり、ハイサイドドライバ用のシンプルなブートストラップ電源が利用できます。
このデバイスには、レベルと遅延を調整可能な 2 段階のターンオフ機能があります。この機能は、過電流又は短絡状態の場合にターンオフ時に過電圧が過電流から保護されます。2 レベルターンオフ機能で設定された同じ遅延がターンオン時に適用され、パルス幅の歪みを防止します。
このデバイスは、 IGBT の不飽和保護機能と FAULT ステータス出力も備え、パルストランスとオプトカプラの両方の信号に対応しています。

1.5 A ソース / 2.3 A シンク（標準）ゲートドライブ
アクティブ Miller クランプ機能
レベルと遅延を調整可能な 2 レベルのターンオフ
ディサチュレーション検出
故障ステータス出力
負のゲート駆動機能
入力はパルストランス又はフォトカプラと互換性があります
ゲート駆動が簡単なシンクとソースの独立した出力
用途
1200 V 、 3 相インバータ
モータ制御
UPS システム

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