STMicroelectronics MOSFET, 1ドライバ, 5出力, 10 mA, 175 ns / 90 ns, 26 V ～ 26V, 14ピン SO-16

RS品番:: 188-8479
メーカー型番:: TD350ETR
メーカー/ブランド名:: STMicroelectronics

STMicroelectronics MOSFET, 1ドライバ, 5出力, 10 mA, 175 ns / 90 ns, 26 V ～ 26V, 14ピン SO-16

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RS品番:: 188-8479
メーカー型番:: TD350ETR
メーカー/ブランド名:: STMicroelectronics

データシート

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すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	STMicroelectronics
	プロダクトタイプ	MOSFET
	出力電流	10mA
	ピン数	14
	降下時間	90ns
	パッケージ型式	SO-16
	ドライバタイプ	MOSFET
	出力数	5
	上昇時間	175ns
	最小電源電圧	26V
	ドライバ数	1
	最大電源電圧	26V
	動作温度 Min	-40°C
	動作温度 Max	125°C
	長さ	8.75mm
	幅	4mm
	高さ	1.65mm
	規格 / 承認	No
	取付タイプ	表面
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド STMicroelectronics
	プロダクトタイプ MOSFET
	出力電流 10mA
	ピン数 14
	降下時間 90ns
	パッケージ型式 SO-16
	ドライバタイプ MOSFET
	出力数 5
	上昇時間 175ns
	最小電源電圧 26V
	ドライバ数 1
	最大電源電圧 26V
	動作温度 Min -40°C
	動作温度 Max 125°C
	長さ 8.75mm
	幅 4mm
	高さ 1.65mm
	規格 / 承認 No
	取付タイプ表面
	自動車規格なし

TD350E デバイスは、 IGBT 及びパワー MOSFET 用の Advanced ゲートドライバです。制御機能と保護機能が搭載されており、信頼性の高いシステム設計が可能です。

革新的なアクティブ Miller クランプ機能により、ほとんどの用途で負のゲートドライブが不要になり、ハイサイドドライバ用のシンプルなブートストラップ電源が利用できます。

このデバイスには、レベルと遅延を調整可能な 2 段階のターンオフ機能があります。この機能は、過電流又は短絡状態の場合にターンオフ時に過電圧が過電流から保護されます。2 レベルターンオフ機能で設定された同じ遅延がターンオン時に適用され、パルス幅の歪みを防止します。

このデバイスは、 IGBT の不飽和保護機能と FAULT ステータス出力も備え、パルストランスとオプトカプラの両方の信号に対応しています。

1.5 A ソース / 2.3 A シンク（標準）ゲートドライブ

アクティブ Miller クランプ機能

レベルと遅延を調整可能な 2 レベルのターンオフ

ディサチュレーション検出

故障ステータス出力

負のゲート駆動機能

入力はパルストランス又はフォトカプラと互換性があります

ゲート駆動が簡単なシンクとソースの独立した出力

1200 V 、 3 相インバータ

モータ制御

UPS システム

STMicroelectronics MOSFET, 1ドライバ, 5出力, 10 mA, 175 ns / 90 ns, 26 V ～ 26V, 14ピン SO-16

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