STMicroelectronics MOSFET MOSFET 4 A SO-8 8-Pin 3.1 V
- RS品番:
- 239-5535
- メーカー型番:
- STGAP2SICSNCTR
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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|---|---|---|
| 2500 - 2500 | ¥297.478 | ¥743,695 |
| 5000 - 22500 | ¥293.103 | ¥732,758 |
| 25000 - 35000 | ¥288.729 | ¥721,823 |
| 37500 - 47500 | ¥284.354 | ¥710,885 |
| 50000 + | ¥279.979 | ¥699,948 |
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- RS品番:
- 239-5535
- メーカー型番:
- STGAP2SICSNCTR
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 出力電流 | 4A | |
| ピン数 | 8 | |
| 降下時間 | 30ns | |
| パッケージ型式 | SO-8 | |
| ドライバタイプ | MOSFET | |
| 最小電源電圧 | 3.1V | |
| 最大電源電圧 | 3.1V | |
| 動作温度 Min | -40°C | |
| 動作温度 Max | 125°C | |
| シリーズ | STGAP | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
出力電流 4A | ||
ピン数 8 | ||
降下時間 30ns | ||
パッケージ型式 SO-8 | ||
ドライバタイプ MOSFET | ||
最小電源電圧 3.1V | ||
最大電源電圧 3.1V | ||
動作温度 Min -40°C | ||
動作温度 Max 125°C | ||
シリーズ STGAP | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
STMicroelectronics STGAP2SiCDは、各々のゲート駆動チャンネルと低電圧制御、およびインタフェース回路間を、ガルバニック絶縁するシングルゲートドライバです。4 Aの電流容量とレールツーレール出力を特徴とし、電力変換や産業用モータドライバインバーなどの中 / 高出力用途に適しています。このデバイスには、2種類の構成が用意されています。独立した出力ピンにより、専用のゲート抵抗を使用することでオン / オフを独立して最適化できます。また、シングル出力ピンとミラークランプ機能を備えた構成により、ハーフブリッジトポロジーにおける高速転流時のゲートスパイクを防止します。どちらの構成も、高い柔軟性と外部コンポーネントの材料費用の削減を実現します。
全体的な入出力伝播遅延: 75 ns
ゲート駆動設定を簡素化する個別のシンク / ソース・オプション
4AミラーCLAMP専用ピンオプション
UVLO機能
サーマルシャットダウン保護
スタンバイ機能
4.8 kVPK絶縁
ナローボディSO-8
このデバイスには保護機能が統合されています。SiC MOSFETに最適化されたUVLOとサーマルシャットダウンが含まれており、高信頼性システムを容易に設計できます。デュアル入力ピンにより、制御信号の極性を選択できます。また、HWインターロック保護を実装することで、コントローラが誤動作した場合の相互導通を回避できます。入力-出力の伝播遅延結果は75 ns以内に収まっており、高いPWM制御精度を実現します。待機時の消費電力を削減するために、スタンバイモードが用意されています。
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