Infineon MOSFET IR35412MTRPBFAUMA1 MOSFET 50 A PQFN 16 V
- RS品番:
- 219-6035
- メーカー型番:
- IR35412MTRPBFAUMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 2 - 98 | ￥595.00 | ￥1,190 |
| 100 - 998 | ￥546.00 | ￥1,092 |
| 1000 - 1998 | ￥499.50 | ￥999 |
| 2000 - 3998 | ￥450.50 | ￥901 |
| 4000 + | ￥402.00 | ￥804 |
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- RS品番:
- 219-6035
- メーカー型番:
- IR35412MTRPBFAUMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 出力電流 | 50A | |
| パッケージ型式 | PQFN | |
| ドライバタイプ | MOSFET | |
| 最小電源電圧 | 4.25V | |
| 最大電源電圧 | 16V | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
出力電流 50A | ||
パッケージ型式 PQFN | ||
ドライバタイプ MOSFET | ||
最小電源電圧 4.25V | ||
最大電源電圧 16V | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
Infineonの統合型パワーステージは、には、最先端の低電圧MOSFET技術と最新のドライバ設計が組み合わされています。ドライバ技術、FET技術、パッケージ技術の統合は、InfineonとInternational Rectifierの強力な結びつきを実証するものです。デュアルエッジトリムデッドタイムにより、ピーク効率が大幅に向上します。温度補償機能付きMOSFET RDS(on)電流検出（専用ケルビンGND接続経由）を内蔵し、インダクタDCR検出方式よりも優れた電流検出精度を実現します。
5 x 6 x 0.9 mm³の小型オーバーモールドPQFNパッケージ、0.45 mmピッチ
高精度な電流レポート
プログラム可能な定電流制限OCSET
高速スイッチング技術により、高周波での性能向上とピーク効率の改善
入力電圧範囲： 4.25 → 16 V
出力電圧範囲： 0.25 → 5.5 V
出力電流容量： 50 A
最大動作周波数： 1.5 MHz
5 V駆動に最適化