onsemi IGBTモジュール NCD57201DR2G IGBT 1.9 A SOIC 2 8-Pin 20 V 表面
- RS品番:
- 221-6602
- メーカー型番:
- NCD57201DR2G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 10 - 140 | ￥242.30 | ￥2,423 |
| 150 - 1190 | ￥220.90 | ￥2,209 |
| 1200 - 1590 | ￥198.70 | ￥1,987 |
| 1600 - 1990 | ￥177.50 | ￥1,775 |
| 2000 + | ￥155.30 | ￥1,553 |
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- RS品番:
- 221-6602
- メーカー型番:
- NCD57201DR2G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| プロダクトタイプ | IGBTモジュール | |
| 出力電流 | 1.9A | |
| ピン数 | 8 | |
| パッケージ型式 | SOIC | |
| 降下時間 | 8ns | |
| ドライバタイプ | IGBT | |
| 出力数 | 2 | |
| 上昇時間 | 13ns | |
| 最小電源電圧 | 20V | |
| 最大電源電圧 | 20V | |
| 動作温度 Min | -40°C | |
| 動作温度 Max | 125°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 幅 | 4 mm | |
| 長さ | 5mm | |
| 高さ | 1.75mm | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| 自動車規格 | AEC-Q100 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
プロダクトタイプ IGBTモジュール | ||
出力電流 1.9A | ||
ピン数 8 | ||
パッケージ型式 SOIC | ||
降下時間 8ns | ||
ドライバタイプ IGBT | ||
出力数 2 | ||
上昇時間 13ns | ||
最小電源電圧 20V | ||
最大電源電圧 20V | ||
動作温度 Min -40°C | ||
動作温度 Max 125°C | ||
規格 / 承認 No | ||
幅 4 mm | ||
長さ 5mm | ||
高さ 1.75mm | ||
取付タイプ 表面 | ||
自動車規格 AEC-Q100 | ||
ON Semiconductor NCx57201 は、 1 つの非絶縁ローサイドゲートドライバと 1 つのガルバニック絶縁ハイサイド / ローサイドゲートドライバを備えた高電圧ゲートドライバです。ハーフブリッジ構成で 2 つの IGBT を直接駆動することができます。絶縁型ハイサイドドライバは、絶縁電源又はローサイド電源のブートストラップ技術で給電できます。
低出力電圧降下により IGBT 導通を向上
最大+800 V のブートストラップ動作用フローティングチャンネル
最大100 kV/s の CMTI
-800 V までの VS 負振幅に対応する信頼性の高い動作を実現