onsemi IGBTモジュール IGBT 1.9 A 2 SOIC 2 8-Pin 20 V 表面

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RS品番:
221-6667
メーカー型番:
NCV57201DR2G
メーカー/ブランド名:
onsemi
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ブランド

onsemi

プロダクトタイプ

IGBTモジュール

出力電流

1.9A

ピン数

8

パッケージ型式

SOIC

ドライバタイプ

IGBT

出力数

2

上昇時間

13ns

最小電源電圧

20V

最大電源電圧

20V

ドライバ数

2

動作温度 Min

-40°C

動作温度 Max

125°C

長さ

5mm

規格 / 承認

No

幅

4 mm

高さ

1.75mm

取付タイプ

表面

自動車規格

AEC-Q100

ON Semiconductor NCx57201 は、 1 つの非絶縁ローサイドゲートドライバと 1 つのガルバニック絶縁ハイサイド / ローサイドゲートドライバを備えた高電圧ゲートドライバです。ハーフブリッジ構成で 2 つの IGBT を直接駆動することができます。絶縁型ハイサイドドライバは、絶縁電源又はローサイド電源のブートストラップ技術で給電できます。ハイサイドゲートドライバをガルバニ絶縁することにより、最大 800 V @ 高 dv/dt で動作する IGBT の高電力用途で信頼性の高いスイッチングが保証されます。

伝播遅延の整合： 90 ns

最小パルス幅 20 ns のフィルタ内蔵

非反転出力信号

最大100 kV/s の CMTI

-800 V までの VS 負振幅に対応する信頼性の高い動作を実現

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