onsemi IGBTモジュール NCV57201DR2G IGBT 1.9 A 2 SOIC 2 8-Pin 20 V 表面
- RS品番:
- 221-6668
- メーカー型番:
- NCV57201DR2G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 5 - 120 | ￥236.60 | ￥1,183 |
| 125 - 1195 | ￥210.20 | ￥1,051 |
| 1200 - 1595 | ￥183.80 | ￥919 |
| 1600 - 1995 | ￥157.40 | ￥787 |
| 2000 + | ￥132.00 | ￥660 |
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- RS品番:
- 221-6668
- メーカー型番:
- NCV57201DR2G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| プロダクトタイプ | IGBTモジュール | |
| 出力電流 | 1.9A | |
| ピン数 | 8 | |
| パッケージ型式 | SOIC | |
| ドライバタイプ | IGBT | |
| 出力数 | 2 | |
| 上昇時間 | 13ns | |
| 最小電源電圧 | 20V | |
| ドライバ数 | 2 | |
| 最大電源電圧 | 20V | |
| 動作温度 Min | -40°C | |
| 動作温度 Max | 125°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 高さ | 1.75mm | |
| 長さ | 5mm | |
| 幅 | 4 mm | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| 自動車規格 | AEC-Q100 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
プロダクトタイプ IGBTモジュール | ||
出力電流 1.9A | ||
ピン数 8 | ||
パッケージ型式 SOIC | ||
ドライバタイプ IGBT | ||
出力数 2 | ||
上昇時間 13ns | ||
最小電源電圧 20V | ||
ドライバ数 2 | ||
最大電源電圧 20V | ||
動作温度 Min -40°C | ||
動作温度 Max 125°C | ||
規格 / 承認 No | ||
高さ 1.75mm | ||
長さ 5mm | ||
幅 4 mm | ||
取付タイプ 表面 | ||
自動車規格 AEC-Q100 | ||
ON Semiconductor NCx57201 は、 1 つの非絶縁ローサイドゲートドライバと 1 つのガルバニック絶縁ハイサイド / ローサイドゲートドライバを備えた高電圧ゲートドライバです。ハーフブリッジ構成で 2 つの IGBT を直接駆動することができます。絶縁型ハイサイドドライバは、絶縁電源又はローサイド電源のブートストラップ技術で給電できます。ハイサイドゲートドライバをガルバニ絶縁することにより、最大 800 V @ 高 dv/dt で動作する IGBT の高電力用途で信頼性の高いスイッチングが保証されます。
伝播遅延の整合： 90 ns
最小パルス幅 20 ns のフィルタ内蔵
非反転出力信号
最大100 kV/s の CMTI
-800 V までの VS 負振幅に対応する信頼性の高い動作を実現