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Infineon パワーMOSFETおよびIGBTドライバ AUIRS21271STR MOSFET 290 mA 1 SOIC 1 8-Pin 600 V 表面

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仕様

データシート

その他

詳細情報

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	すべて選択
	ブランドインフィニオン
	プロダクトタイプパワーMOSFETおよびIGBTドライバ
	出力電流 290mA
	ピン数 8
	パッケージ型式 SOIC
	降下時間 65ns
	ドライバタイプ MOSFET
	出力数 1
	上昇時間 200ns
	最小電源電圧 9V
	最大電源電圧 600V
	ドライバ数 1
	動作温度 Min -40°C
	動作温度 Max 125°C
	長さ 5mm
	高さ 1.75mm
	幅 4 mm
	規格 / 承認 RoHS, Lead-Free
	取付タイプ表面
	自動車規格 AEC-Q100

Infineon AUIRS2127シリーズは、高耐圧、高速のパワーMOSFETとIGBTドライバです。独自のHVIC技術、ラッチ耐性CMOS技術により、頑丈なモノリシック構造を実現します。ロジック入力は、標準的なCMOS又はLSTTL出力と互換性があります。

FAULTリードがシャットダウンが発生したことを示します

ブートストラップ動作に対応したフローティングチャンネル

入力と同位相の出力

鉛未使用

RoHS準拠

車載用認定

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