Infineon MOSFET IRS2011STRPBF MOSFET 1 A SOIC 2 8-Pin 20 V 表面
- RS品番:
- 226-6177
- メーカー型番:
- IRS2011STRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
ボリュームディスカウント対象商品
1 袋(1袋5個入り) 小計：*
￥1,811.00
(税抜)
￥1,992.10
(税込)
￥3,000円を超える注文については、送料無料
一時的に在庫切れ
- 2,485 は 2026年1月15日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 5 - 120 | ￥362.20 | ￥1,811 |
| 125 - 1195 | ￥317.40 | ￥1,587 |
| 1200 - 1595 | ￥272.80 | ￥1,364 |
| 1600 - 1995 | ￥227.00 | ￥1,135 |
| 2000 + | ￥182.20 | ￥911 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 226-6177
- メーカー型番:
- IRS2011STRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 出力電流 | 1A | |
| ピン数 | 8 | |
| パッケージ型式 | SOIC | |
| 降下時間 | 35ns | |
| ドライバタイプ | MOSFET | |
| 出力数 | 2 | |
| 上昇時間 | 40ns | |
| 最小電源電圧 | 20V | |
| 最大電源電圧 | 20V | |
| 動作温度 Min | -40°C | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 高さ | 1.75mm | |
| 幅 | 4 mm | |
| シリーズ | IRS2011 | |
| 長さ | 5mm | |
| 規格 / 承認 | JEDEC JESD 47 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
出力電流 1A | ||
ピン数 8 | ||
パッケージ型式 SOIC | ||
降下時間 35ns | ||
ドライバタイプ MOSFET | ||
出力数 2 | ||
上昇時間 40ns | ||
最小電源電圧 20V | ||
最大電源電圧 20V | ||
動作温度 Min -40°C | ||
動作温度 Max 150°C | ||
高さ 1.75mm | ||
幅 4 mm | ||
シリーズ IRS2011 | ||
長さ 5mm | ||
規格 / 承認 JEDEC JESD 47 | ||
取付タイプ 表面 | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon IRS2011 は、ハイサイドとローサイドの独立した基準出力チャンネルを備えた、高出力、高速パワー MOSFET ドライバです。ロジック入力は、 3.3 V ロジックまで、標準 CMOS 又は LSTTL 出力に対応しています。出力ドライバは、ドライバのクロスコンダクションを最小限に抑えるように設計された高パルス電流バッファ段を備えています。伝播遅延は、高周波用途での使用を簡素化するのに適しています。
ブートストラップ操作向けのフローティングチャンネル
200 V まで完全動作
負の過渡電圧に対する耐性、 dV/dt 耐性
ゲートドライブ供給範囲： 10 → 20 V
独立のハイサイド及びローサイドチャンネル