Infineon MOSFET IRS21064STRPBF MOSFET 290 mA SOIC 2 14-Pin 20 V 表面

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梱包形態
RS品番:
226-6183
メーカー型番:
IRS21064STRPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

出力電流

290mA

ピン数

14

降下時間

80ns

パッケージ型式

SOIC

出力数

2

ドライバタイプ

MOSFET

上昇時間

100ns

最小電源電圧

20V

最大電源電圧

20V

動作温度 Min

-40°C

動作温度 Max

125°C

高さ

1.75mm

規格 / 承認

No

3.99 mm

シリーズ

IRS

長さ

8.74mm

取付タイプ

表面

自動車規格

なし

Infineon IRS21064 は、高電圧、高速パワー MOSFET 、 IGBT ドライバで、独立したハイサイド及びローサイドのリファレンス出力チャンネルを備えています。独自の HVIC とラッチ耐性 CMOS 技術により、耐久性の高いモノリシック構造が実現されています。ロジック入力は、 3.3 V ロジックまでの標準 CMOS 又は LSTTL 出力と互換性があります。出力ドライバは、ドライバのクロスコンダクションを最小限に抑えるように設計された高パルス電流バッファステージを備えています。

Infineon IRS21064 は、高電圧、高速パワー MOSFET 、 IGBT ドライバで、独立したハイサイド及びローサイドのリファレンス出力チャンネルを備えています。独自の HVIC とラッチ耐性 CMOS 技術により、耐久性の高いモノリシック構造が実現されています。ロジック入力は、 3.3 V ロジックまでの標準 CMOS 又は LSTTL 出力と互換性があります。出力ドライバは、ドライバのクロスコンダクションを最小限に抑えるように設計された高パルス電流バッファステージを備えています。

ブートストラップ操作向けのフローティングチャンネル

+600 Vまで完全動作

負の過渡電圧に対する耐性、 dV/dt 耐性

ゲートドライブ供給電圧範囲: 10 → 20 V

ブートストラップ操作向けのフローティングチャンネル

+600 Vまで完全動作

負の過渡電圧に対する耐性、 dV/dt 耐性

ゲートドライブ供給電圧範囲: 10 → 20 V

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