- RS品番:
- 230-9045
- メーカー型番:
- NCD57090DDWR2G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
一時的な在庫切れ - 2024/07/01に入荷し、その後4営業日でお届け予定
追加されました
単価: 購入単位は1000 個
¥253.846
(税抜)
¥279.231
(税込)
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
1000 - 1000 | ¥253.846 | ¥253,846.00 |
2000 - 9000 | ¥247.676 | ¥247,676.00 |
10000 - 14000 | ¥241.507 | ¥241,507.00 |
15000 - 19000 | ¥235.337 | ¥235,337.00 |
20000 + | ¥229.167 | ¥229,167.00 |
* 購入単位ごとの価格 |
- RS品番:
- 230-9045
- メーカー型番:
- NCD57090DDWR2G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
その他
詳細情報
ON Semiconductor シリーズの NCD57090D は、 5 kVrms 内部ガルバニック絶縁を備えた高電流シングルチャンネル IGBT ゲートドライバです。高電力用途で高いシステム効率と信頼性を実現するように設計されています。このデバイスは相補入力を受け入れ、ピン構成に応じて、アクティブ Miller Clamp ( NCD57090D )などのオプションを提供します。
システム効率を向上
正確なマッチングで短い伝搬遅延を実現します
PWM 信号の整合性が向上しています
高過渡及び電磁耐性
高速スルーレートの高電圧及び高電流スイッチング用途での耐久性を備えています
5 kVrms オンチップガルバニック絶縁
オプトドライバに比べて性能が向上し、コストと基板スペースを節約します
バイアス電圧範囲が広く、入力電圧範囲も広い
柔軟なシステム設計が可能で、一般的に使用可能なシステム電圧レールを使用できます
アクティブ Miller クランプ又は負のゲート電圧又は分割出力
コンパクトなパッケージで適切な機能を選択できます
正確なマッチングで短い伝搬遅延を実現します
PWM 信号の整合性が向上しています
高過渡及び電磁耐性
高速スルーレートの高電圧及び高電流スイッチング用途での耐久性を備えています
5 kVrms オンチップガルバニック絶縁
オプトドライバに比べて性能が向上し、コストと基板スペースを節約します
バイアス電圧範囲が広く、入力電圧範囲も広い
柔軟なシステム設計が可能で、一般的に使用可能なシステム電圧レールを使用できます
アクティブ Miller クランプ又は負のゲート電圧又は分割出力
コンパクトなパッケージで適切な機能を選択できます
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
仕様
特性 | |
---|---|
出力電流 | 6.5 A |
供給電圧 | 20V |
ピン数 | 8 |
降下時間 | 13ns |
パッケージタイプ | SOIC |
関連ページ
- onsemi ゲートドライバモジュール 9 A SOIC 16-Pin
- onsemi ゲートドライバモジュール 32 A SOIC 8-Pin
- onsemi IGBTドライバモジュール 7 A SOIC 8-Pin
- onsemi IGBTドライバモジュール 1.9 A SOIC 8-Pin
- onsemi MOSFETゲートドライバ 6.5 A SOIC 8-Pin
- onsemi IGBTドライバモジュール 6.5 A SOIC 14-Pin
- Infineon IGBTドライバモジュール 500 mA SOIC 8-Pin
- ON Semiconductor IGBTドライバモジュール 1.9 A SOIC 8-Pin