STMicroelectronics MOSFET, 4 A / 30 ns, 3.1 V ～ 5.5V, 36ピン SO-36W

STMicroelectronics STGAP2SiCDは、各々のゲート駆動チャンネルと低電圧制御、およびインタフェース回路間を、ガルバニック絶縁するSiC MOSFET用のデュアルゲートドライバです。4A駆動電流とレールツーレール出力を特徴としており、電力変換および産業用モータドライバインバータといったの中 / 高出力用途に適しています。独立した出力ピンにより、専用のゲート抵抗を使用することでオン / オフを独立して最適化できます。また、ミラーCLAMP機能により、ハーフブリッジトポロジーにおける高速転流時のゲートスパイクを回避できます。このデバイスには保護機能が統合されており、専用のSDピンとブレーキピンが用意されています、UVLOとサーマルシャットダウン機能により、高信頼性システムを簡単に設計できます。

4 Aミラークランプ

ハーフブリッジトポロジーでは、インターロック機能により、誤った論理入力コマンドによるシュートスルー状態を回避し、出力が同時に高くなることを防ぎます。インターロック機能は専用の設定ピンで無効化できるため、2つのチャンネルを個別またはパラレルに動作可能です。入力-出力の伝播遅延結果は75 ns以内に収まっており、高いPWM制御精度を実現します。待機時の消費電力を削減するために、スタンバイモードが用意されています。