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製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	onsemi
	プロダクトタイプ	MOSFET
	出力電流	6.5A
	ピン数	16
	降下時間	16ns
	パッケージ型式	SOIC
	ドライバタイプ	MOSFET
	上昇時間	19ns
	最小電源電圧	5V
	最大電源電圧	5V
	動作温度 Min	-40°C
	動作温度 Max	150°C
	規格 / 承認	No
	シリーズ	NCP51
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド onsemi
	プロダクトタイプ MOSFET
	出力電流 6.5A
	ピン数 16
	降下時間 16ns
	パッケージ型式 SOIC
	ドライバタイプ MOSFET
	上昇時間 19ns
	最小電源電圧 5V
	最大電源電圧 5V
	動作温度 Min -40°C
	動作温度 Max 150°C
	規格 / 承認 No
	シリーズ NCP51
	自動車規格なし

Datasheet - NCP51561DBDWR2G

ON Semiconductor絶縁高電流IGBT/MOSFETゲートドライバは、高電流シングルチャンネルです。5kVrms内部ガルバニック絶縁を備えたIGBT/MOSFETゲートドライバは、高電力用途で高いシステム効率と信頼性を実現するように設計されています。このデバイスはコンプリメンタリ入力に対応し、ピン配置に応じて、アクティブミラークランプ（バージョンA）、負電源（バージョンB）、独立した高 / 低ドライバ出力（OUTHおよびOUTL）（バージョンC）などのオプションを提供するため、システム設計の利便性を高めます。このドライバは、3.3 → 20 Vの幅広い入力バイアス電圧と信号レベルに対応し、ワイドボディSOIC−8パッケージです。

高ピーク出力電流(+6.5 A / −6.5 A)

低クランプ電圧ドロップにより、誤作動を防止するための負電源が不要（バージョンA/D/F）

正確なマッチングによる短い伝搬遅延

短絡時にIGBT / MOSFETゲートクランプ

IGBT / MOSFETゲートアクティブプルダウン

バイアスの柔軟性を高める厳しいUVLOスレッショルド

ネガティブVEE2 (バージョンB)を含む広いバイアス電圧範囲

3.3 V、5 V、15 Vロジック入力

5 kVrmsのガルバニック絶縁

高い過渡耐性

高い電磁耐性

onsemi MOSFET MOSFET 6.5 A SOIC 16-Pin 5 V

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