onsemi MOSFETゲートドライバ SOIC 16-Pin

ON Semiconductor絶縁高電流IGBT/MOSFETゲートドライバは、高電流シングルチャンネルです。5kVrms内部ガルバニック絶縁を備えたIGBT/MOSFETゲートドライバは、高電力用途で高いシステム効率と信頼性を実現するように設計されています。このデバイスはコンプリメンタリ入力に対応し、ピン配置に応じて、アクティブミラークランプ（バージョンA）、負電源（バージョンB）、独立した高 / 低ドライバ出力（OUTHおよびOUTL）（バージョンC）などのオプションを提供するため、システム設計の利便性を高めます。このドライバは、3.3 → 20 Vの幅広い入力バイアス電圧と信号レベルに対応し、ワイドボディSOIC−8パッケージです。

高ピーク出力電流(+6.5 A / −6.5 A)
低クランプ電圧ドロップにより、誤作動を防止するための負電源が不要（バージョンA/D/F）
正確なマッチングによる短い伝搬遅延
短絡時にIGBT / MOSFETゲートクランプ
IGBT / MOSFETゲートアクティブプルダウン
バイアスの柔軟性を高める厳しいUVLOスレッショルド
ネガティブVEE2 (バージョンB)を含む広いバイアス電圧範囲
3.3 V、5 V、15 Vロジック入力
5 kVrmsのガルバニック絶縁
高い過渡耐性
高い電磁耐性