onsemi MOSFETゲートドライバ 6.5 A SOIC

ON Semiconductorゲートドライバは、それぞれ4.5A/9Aのソース及びシンクピーク電流を備えた絶縁デュアルチャンネルゲートドライバです。パワーMOSFETやSiC MOSFETパワースイッチを駆動するための高速スイッチング用に設計されています。NCP51561は短い遅延時間とマッチした遅延時間を提供します。入力から各出力への2つの独立した5kVrmsの内部ガルバニック絶縁と、2つの出力ドライバ間の内部機能絶縁により、最大1500VDCの動作電圧が可能。このドライバは、2つのローサイドスイッチ、2つのハイサイドスイッチ、またはプログラム可能なデッドタイムを持つハーフブリッジドライバなど、様々な構成で使用できます。ENA/DISピンは、ENABLEモードまたはDISABLEモードにそれぞれLOWまたはHIGHに設定された場合、両方の出力を同時にシャットダウンします。NCP51561は、両ゲートドライバの独立した低電圧ロックアウトやデッドタイム調整機能など、その他の重要な保護機能を備えています。

4.5 Aのピークソース、9 Aのピークシンク出力電流能力
柔軟性：デュアルローサイド、デュアルハイサイド又はハーフブリッジゲートドライバ
出力ドライバの独立したUVLO保護
MOSFET用の6.5 Vから30 Vの出力電源電圧、SiC用の5 Vと8 Vの閾値、13 Vと17 VのUVLO
コモンモード過渡耐性 CMTI > 200 V/ns
伝搬遅延(代表値) 36 ns(チャンネルあたり最大遅延マッチング5 ns、最大パルス幅歪み5 ns)
ANB、ENABLE又はDISABLEモード経由でユーザープログラム可能な入力ロジックシングル又はデュアル−入力モード
ユーザープログラム可能なデッドタイム