Infineon MOSFET IRS2308STRPBF MOSFET 600 mA SOIC 8-Pin 600 V

ゲートドライバIC・駆動回路 の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示

1 袋(1袋2個入り) 小計：*

￥308.00

(税抜)

￥338.80

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 2,480 は海外在庫あり
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。

個
単価
購入単位毎合計*
2 - 48￥154.00￥308
50 - 498￥140.50￥281
500 - 998￥126.50￥253
1000 - 1998￥113.50￥227
2000 +￥101.50￥203

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
258-4014
メーカー型番:
IRS2308STRPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

出力電流

600mA

ピン数

8

降下時間

35ns

パッケージ型式

SOIC

ドライバタイプ

MOSFET

上昇時間

220ns

最小電源電圧

10V

最大電源電圧

600V

動作温度 Min

-40°C

動作温度 Max

150°C

シリーズ

IRS

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Infineonハーフブリッジドライバは、高電圧、高速パワーMOSFET及びIGBTドライバで、ハイサイドリファレンス及びローサイドリファレンス出力チャンネルを備えています。独自のHVIC及びラッチ免疫CMOS技術により、頑丈なモノリシック構造を実現します。ロジック入力は、標準的なCMOS又はLSTTL出力と互換性があり、最大3.3 Vのロジックです。この出力ドライバは、ドライバのクロス伝導を最小限に抑えるように設計された高パルス電流バッファステージを備えています。このフローティングチャンネルは、最大600 Vで動作するハイサイド構成のNチャンネルパワーMOSFET又はIGBTを駆動するために使用できます。

ブートストラップ動作用に設計されたフローティングチャンネル

ゲートドライブ電源範囲: 10 → 20 V

両チャンネルの低電圧ロックアウト

クロス伝導防止ロジック

両方のチャンネルに対応した拡散遅延

出力と入力の相互接続

関連ページ

お得な情報をいち早く受け取ろう

Emailアドレス

お客様の個人情報は、当社のプライバシーポリシーに従って慎重に取り扱いを行います。