Infineon MOSFET IRS2301STRPBF MOSFET 200 mA SOIC 2 8-Pin 600 V 表面

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梱包形態
RS品番:
226-6212
メーカー型番:
IRS2301STRPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

出力電流

200mA

ピン数

8

パッケージ型式

SOIC

降下時間

80ns

出力数

2

ドライバタイプ

MOSFET

上昇時間

220ns

最小電源電圧

20V

最大電源電圧

600V

動作温度 Min

-40°C

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS

高さ

1.75mm

シリーズ

IRS

長さ

4.98mm

幅

3.99 mm

取付タイプ

表面

自動車規格

なし

Infineon IRS2301S は、高電圧、高速パワー MOSFET 及び IGBT ドライバで、独立したハイ / ローサイドリファレンス出力チャンネルを備えています。独自の HVIC とラッチ耐性 CMOS 技術により、耐久性の高いモノリシック構造が実現されています。ロジック入力は、 3.3 V ロジックまで、標準 CMOS 又は LSTTL 出力に対応しています。出力ドライバは、高パルス電流バッファステージを備えています。

ブートストラップ操作向けのフローティングチャンネル

+600 Vまで完全動作

負の過渡電圧に対する耐性、 dV/dt 耐性

ゲートドライブ供給電圧範囲： 5 → 20 V

両方のチャンネルに電圧不足ロックアウト

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